[发明专利]半导体器件及其制造方法、存储系统

说明书

本公开涉及一种半导体器件及其制造方法、存储系统。该用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成下部堆叠结构；形成支撑体，其中，所述支撑体穿过所述下部堆叠结构的至少一部分；在所述下部堆叠结构上形成上部堆叠结构；以及形成贯穿所述上部堆叠结构并延伸穿过所述支撑体的至少一部分的栅线缝隙结构。

技术领域

本公开涉及半导体领域，更具体的，涉及一种半导体器件及其制造方法、存储系统。

背景技术

三维存储器因其较高的存储密度而愈来愈受到市场的青睐。三维存储器的生产厂商仍在追求增加三维存储器中堆叠结构的层数。

随着堆叠结构的层数不断增加，堆叠结构的应力状况更加复杂，制造三维存储器的工艺难度也不断提升。需要在追求堆叠结构的层数增加时，仍能保证所制造的三维存储器的质量。

发明内容

本公开的实施方式可至少解决上述相关技术中的一个或多个技术问题、或用于解决相关技术中的其它一些技术问题。

本公开的实施方式提供了一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成下部堆叠结构；形成支撑体，其中，支撑体穿过下部堆叠结构的至少一部分；在下部堆叠结构上形成上部堆叠结构；以及形成贯穿上部堆叠结构并延伸穿过支撑体的至少一部分的栅线缝隙结构。

在一些实施方式中，栅线缝隙结构在平行于衬底的第一方向上的尺寸大于支撑体在第一方向上的尺寸。

在一些实施方式中，形成支撑体包括：形成凹槽，其中，凹槽穿过下部堆叠结构的至少一部分；以及在凹槽中形成支撑体。

在一些实施方式中，上部堆叠结构和下部堆叠结构均包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层；在形成上部堆叠结构之后，该方法还包括：形成贯穿上部堆叠结构并延伸穿过支撑体的至少一部分的栅线缝隙；以及通过栅线缝隙将牺牲层置换为栅极层。

在一些实施方式中，形成栅线缝隙结构包括：在栅线缝隙中形成栅线缝隙结构。

在一些实施方式中，形成栅线缝隙结构包括：形成贯穿上部堆叠结构并延伸至支撑体的至少一部分的栅线缝隙；以及在栅线缝隙中形成栅线缝隙结构。

在一些实施方式中，形成支撑体包括：形成贯穿下部堆叠结构并延伸至衬底的至少一部分中的支撑体。

在一些实施方式中，在形成上部堆叠结构之后并在形成栅线缝隙之前，该方法还包括：在下部堆叠结构和上部堆叠结构形成台阶结构，其中，支撑体位于台阶结构对应的台阶区。

在一些实施方式中，该方法还包括：在同一工艺过程中形成支撑体和选择栅切口结构，其中，选择栅切口结构穿过下部堆叠结构的至少一部分，且沿平行于衬底的第一方向，选择栅切口结构与栅线缝隙结构接续设置。

在一些实施方式中，衬底包括依次堆叠的基体、连接层和刻蚀停止层；其中，支撑体延伸至刻蚀停止层；以及其中，栅线缝隙结构延伸至基体。

在一些实施方式中，支撑体的材料包括绝缘材料。

本申请另一方面提供半导体器件，该半导体器件包括：复合堆叠结构；支撑体，延伸至复合堆叠结构的至少一部分；以及栅线缝隙结构，贯穿复合堆叠结构，并延伸到支撑体的至少一部分。

在一些实施方式中，栅线缝隙结构在第一方向上的尺寸大于支撑体在第一方向上的尺寸，第一方向与复合堆叠结构的堆叠方向彼此相交。

在一些实施方式中，沿第一方向，栅线缝隙结构的两端相对支撑体延展相同的长度。

在一些实施方式中，复合堆叠结构包括交替堆叠的栅极层和绝缘层。

在一些实施方式中，复合堆叠结构包括台阶结构；其中，支撑体位于台阶结构对应的台阶区处。