[发明专利]一种双面太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：

取其中一面附着有氧化硅掺杂层，另一面附着有第一晶硅掺杂层的硅片，以硅源为原料，在所述氧化硅掺杂层的表面沉积本征硅膜；所述本征硅膜采用等离子体增强化学气相沉积法制备；

使用氩气等离子气体轰击所述本征硅膜，重复沉积的操作和用等离子气体轰击的操作0～50次，形成本征硅层，重复0次是只进行一次沉积和用等离子气体轰击的操作；所述本征硅层的厚度大于20nm且不大于200nm；

再以硅源和第二掺杂源为原料，在所述本征硅层的表面沉积第二晶硅掺杂层，在退火温度600～1000℃，退火时间为5～35min的条件下进行退火处理；

所述硅片为N型，所述第二晶硅掺杂层为N型，所述第一晶硅掺杂层为P型；或所述硅片为P型，所述第二晶硅掺杂层为P型，所述第一晶硅掺杂层为N型。

2.根据权利要求1所述的双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述使用等离子气体轰击所述本征硅时，轰击时间为0.1～600s。

3.根据权利要求1所述的双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，其还包括以下步骤：以氮化硅为原料，在所述第二晶硅掺杂层的表面沉积减反射层。

4.根据权利要求1所述的双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一晶硅掺杂层的制备步骤包括：以第一掺杂源和所述硅源为原料，在所述硅片的表面扩散推结形成第一晶硅掺杂层；和/或，所述氧化硅掺杂层的制备步骤包括：以氧化剂和所述硅源为原料，在所述硅片的其中一面沉积所述氧化硅掺杂层。

5.根据权利要求4所述的双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂源为硼源，所述氧化剂为笑气、氧气、臭氧中的一种或多种。

6.根据权利要求5所述的双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，其还包括以下步骤：以氮化硅为原料，在所述第一晶硅掺杂层的表面沉积减反射层。

7.根据权利要求1所述的双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第二掺杂源为磷源；和/或，所述硅源为硅烷。

8.根据权利要求7所述的双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述磷源为磷烷、三氯氧磷、三溴氧磷中的至少一种。