[发明专利]具有高强度和高导率的铜合金膜

权利要求书

1.一种形成部件的方法，包括：

将包括晶粒的金属材料沉积到载体上，所述晶粒中的一者或多者包括纳米孪晶边界；

其中所述金属材料包括铜(Cu)合金，所述Cu合金包括介于0.5at％至2at％之间的银(Ag)或钴(Co)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述金属材料包括共溅射所述金属材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述金属材料包括电镀所述金属材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述载体包括传导性芯轴，所述传导性芯轴具有与所述部件的形状对应的形状。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述载体至少部分地浸入电解质溶液中，所述电解质溶液包括所述金属材料的阳离子和抑制剂。

6.一种合金，包括：

铜(Cu)；

银(Ag)或钴(Co)，所述银或钴包括介于0.5at％至2at％之间的所述合金；和

晶粒，至少90％的所述晶粒包括纳米孪晶边界。

7.根据权利要求6所述的合金，其中所述晶粒在纳米孪晶边界之间具有介于2纳米(nm)和5nm之间的平均间距。

8.根据权利要求6所述的合金，其中至少95％的所述晶粒包括纳米孪晶边界。

9.一种电子设备，包括：

传导性部件，所述传导性部件包括金属合金，所述金属合金包括晶粒，所述金属合金包括铜(Cu)合金；以及

至少90％的所述晶粒包括纳米孪晶边界。

10.根据权利要求9所述的电子设备，其中所述铜合金包括介于0.5at％至2at％之间的银(Ag)或钴(Co)。

11.根据权利要求9所述的电子设备，其中所述传导性部件是导电部件。

12.根据权利要求11所述的电子设备，其中所述导电部件包括充电插座。

13.根据权利要求11所述的电子设备，其中所述导电部件包括位于两个电子部件之间的电连接器。

14.根据权利要求13所述的电子设备，其中所述两个电子部件包括印刷电路板。

15.根据权利要求9所述的电子设备，其中所述传导性部件是导热部件。

16.根据权利要求15所述的电子设备，其中所述导热部件包括支撑板。

17.根据权利要求15所述的电子设备，其中所述导热部件包括非平面形状并且机械地支撑附连到所述导热部件的部件。

18.根据权利要求11所述的电子设备，所述电子设备进一步包括电池，所述电池包括：

电化学电池单元，所述电化学电池单元包括电解质、阳极和阴极；和

集电器，所述集电器电耦接到所述阳极或所述阴极中的一者，所述集电器包括所述传导性部件。

19.根据权利要求18所述的电池，其中所述金属合金具有小于10微米的厚度。

20.根据权利要求18所述的电池，其中所述电化学电池单元是锂离子电化学电池单元。