[发明专利]一种抗阶梯电压的高介电陶瓷介质材料、陶瓷电容器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210463934.3 申请日: 2022-04-29
公开(公告)号: CN114899008A 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 张军志;罗超;杨和成;罗昌宸 申请(专利权)人: 厦门松元电子股份有限公司
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12
代理公司: 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 代理人: 郭福利
地址: 361000 福建省厦门市集*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 阶梯 电压 高介电 陶瓷 介质 材料 电容器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种抗阶梯电压的高介电陶瓷介质材料,其特征在于,包括主晶相材料、辅助材料和改性添加物,所述主晶相材料为经过Mn掺杂的BaSnxTi1-xO3,0x0.1,所述辅助材料为Sr0.98-yCayBi0.02TiO3,0y0.4,所述主晶相材料和所述辅助材料的质量比为100:(1~3)。

2.根据权利要求1所述的一种抗阶梯电压的高介电陶瓷介质材料,其特征在于,在所述陶瓷介质材料中,所述主晶相材料和所述辅助材料的总量所占的质量分数为98.5~99.5%,所述改性添加物的质量分数为0.5~1.5%。

3.根据权利要求1或2所述的一种抗阶梯电压的高介电陶瓷介质材料,其特征在于,所述改性添加物选自ZrO2、MgO、SiO2、ZnO、La2O3、Sm2O3、CeO2、Y2O3、Nb2O5、CuO中的三种或三种以上。

4.根据权利要求3所述的一种抗阶梯电压的高介电陶瓷介质材料,其特征在于,所述改性添加物中,各组分在所述陶瓷介质材料中的质量分数范围如下:ZrO2为0.0~0.5%、MgO为0.0~0.2%、SiO2为0.0~0.2%、ZnO为0.0~1.0%、La2O3为0.0~1.0%、Sm2O3为0.0~0.5%、CeO2为0.0~1.0%、Y2O3为0.0~0.3%、Nb2O5为0.0~1.5%、CuO为0.0~0.2%。

5.根据权利要求1所述的一种抗阶梯电压的高介电陶瓷介质材料,其特征在于,所述主晶相材料和所述辅助材料分别通过固相合成法制备得到。

6.一种如权利要求1~5任意一项所述的一种抗阶梯电压的高介电陶瓷介质材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将所述主晶相材料、所述辅助材料和所述改性添加物混合并进行湿法球磨,干燥得到所述陶瓷介质材料。

7.根据权利要求6所述的瓷介质材料的制备方法,其特征在于,所述主晶相材料根据以下步骤制备得到:将BaCO3、MnO2、SnO2和TiO2进行湿法球磨,然后在空气气氛下于1260~1360℃条件下煅烧1~3h。

8.根据权利要求6所述的瓷介质材料的制备方法,其特征在于,所述辅助材料根据以下步骤制备得到:将SrCO3、CaCO3、Bi2O3、TiO2进行湿法球磨,然后在空气气氛下于950~1050℃条件下煅烧0.5~1.5h。

9.一种陶瓷电容器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将权利要求6制备得到的所述陶瓷介质材料,压制成坯件后在空气气氛中1300~1380℃条件下烧结制得陶瓷素件,将烧结好的陶瓷素件涂覆或印刷金属浆料,经过400~1000℃温度还原后,依次进行焊接、包封、固化后,获得陶瓷电容器。

10.一种陶瓷电容器,其特征在于,依据权利要求9所述的陶瓷电容器的制备方法制备得到。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门松元电子股份有限公司,未经厦门松元电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210463934.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top