[发明专利]一种存储器及其编程方法、存储器系统

说明书

本发明公开一种存储器及其编程方法、存储器系统。其中，所述编程方法包括：根据编程顺序对选定存储单元串进行编程；在对所述选定存储单元串中与所述多个字线中选定的非边缘字线耦接的存储单元进行编程时，对所述多个字线中的边缘字线施加第一通过电压；对与所述边缘字线相邻的非边缘字线施加第二通过电压；其中，所述边缘字线为所述多个字线中与所述源极线相邻的至少一个字线，或者所述多个字线中与所述位线相邻的至少一个字线；所述非边缘字线为所述多个字线中除所述边缘字线之外的字线；所述选定的非边缘字线与所述边缘字线不相邻；所述第一通过电压小于所述第二通过电压。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种存储器及其编程方法、存储器系统。

背景技术

非易失性存储器已经广泛应用于各个领域的电子器件中。闪存是可以被电擦除并重新编程的使用最为广泛的非易失性存储器之一，闪存可以包括NOR和NAND两种架构的存储器，其中，对闪存中的每一个存储单元的阈值电压改变为需要的电平以实现各种操作，如读取、编程和擦除。在对闪存操作时，可以按照块级别执行擦除操作，可以按照页级别执行编程操作，可以按照存储单元级别执行读取操作。目前，平面结构的NAND闪存已经应用广泛，为了进一步的提高闪存的存储容量，降低每比特的存储成本，提出了三维(3D)NAND存储器，其结构包括衬底；位于衬底上设置堆叠结构；贯穿堆叠结构的若干通道孔；位于通道孔中的存储结构，所述存储结构包括位于所述通道孔侧壁表面上的电荷存储层和位于电荷存储层侧壁表面上的沟道层，每一个沟道孔中的存储结构与每一个控制栅相交的位置对应一个存储单元。在该种结构下的3D NAND，对某一通道孔的某一层存储单元执行编程时，存在对其他通道孔的其他层的存储单元带来热载流子注入(HCI，Hot Carrier Injection)类型的编程干扰。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种存储器及其编程方法、存储器系统，通过对受编程干扰影响严重的未选中字线上施加一个小于其相邻字线上的通过电压，以降低二者之间的电压差，进而减小三维非易失性存储器执行编程时耦接到未选定的字线的存储单元的HCI类型干扰。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供一种存储器的编程方法，所述存储器包括：多个存储单元串；每一个存储单元串一端与位线连接，另一端与源极线连接；每一个存储单元串包含串联的多个存储单元；其中，所述多个存储单元分别与多个字线耦接；所述编程方法包括：

根据编程顺序对选定存储单元串进行编程；

在对所述选定存储单元串中与所述多个字线中选定的非边缘字线耦接的存储单元进行编程时，对所述多个字线中的边缘字线施加第一通过电压；对与所述边缘字线相邻的非边缘字线施加第二通过电压；其中，所述边缘字线为所述多个字线中与所述源极线相邻的至少一个字线，或者所述多个字线中与所述位线相邻的至少一个字线；所述非边缘字线为所述多个字线中除所述边缘字线之外的字线；所述选定的非边缘字线与所述边缘字线不相邻；所述第一通过电压小于所述第二通过电压。

第二方面，本发明实施例还提供一种存储器，包括存储器阵列，所述存储器阵列包括多个存储单元串；每一个存储单元串一端与位线连接，另一端与源极线连接；每一个存储单元串包含串联的多个存储单元；其中，所述多个存储单元分别与多个字线耦接；

以及耦接在所述存储器阵列且用于控制所述存储器阵列的控制电路；

其中，所述控制电路被配置为：

根据编程顺序对选定存储单元串进行编程；