[发明专利]存储器

说明书

本发明提供了一种存储器，通过在所述衬底上形成多个遮蔽图案，至少部分遮蔽图案位于所述字线结构上且延伸至填充剩余深度的字线沟槽，所述遮蔽图案可以同时作为衬底上的遮蔽层和保护所述字线结构的栅绝缘层，相较于现有的存储器的形成方法，本发明可以省略去除衬底上的栅绝缘层、栅介质层以及在衬底上重新形成遮蔽层的步骤，从而简化了存储器的制备工艺，提高了制备的效率，并且不会对存储器的性能产生影响；并且，通过第一气隙和第二气隙可以减小导电图案之间的寄生电容，提高存储器的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种存储器。

背景技术

存储器，例如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，其通常具有存储单元阵列，所述存储单元阵列中包括多个呈阵列式排布的存储单元。所述存储器具有多条字线结构和位线结构，字线结构埋入在衬底中，位线结构形成在衬底上且与相应的存储单元电性连接，并且所述存储器还包括存储电容器，所述存储电容器用于存储代表存储信息的电荷，以及所述存储单元可通过一节点接触结构电性连接所述存储电容器，从而实现各个存储单元的存储功能。

图1a～图1c为现有的存储器的形成方法形成的结构示意图。参阅图1a～图1c，现有的存储器的形成方法包括：如图1a所示，在衬底100’中形成字线沟槽后，在衬底100’上形成栅介质层201a’，所述栅介质层201a’覆盖所述衬底100’并延伸覆盖所述字线沟槽的内壁；然后填充字线结构WL’在所述字线沟槽中，所述字线结构WL’的顶面低于所述字线沟槽的顶面；接着，形成在栅介质层201a’上形成栅绝缘层201b’，所述栅绝缘层201b’覆盖所述栅介质层201a’并填充所述字线沟槽。然后如图1b所示，研磨以去除所述衬底100’上的栅介质层201a’及栅绝缘层201b’。最后如图1c所示，重新在所述衬底100’上形成遮蔽层200’从而起到隔离的作用。现有的存储器的形成方法步骤多，也比较复杂，如何简化存储器的形成方法是目前亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器，在不影响存储器性能的情况下简化存储器的形成工艺。

为了达到上述目的，本发明提供了一种存储器，包括：

衬底，所述衬底中包括沿着第一预定方向延伸的多个字线沟槽；

多条字线结构，位于所述字线沟槽中且填充部分深度的字线沟槽；以及，

多个遮蔽图案，位于所述衬底上，至少部分遮蔽图案位于所述字线结构上且延伸至填充剩余深度的字线沟槽。

可选的，所述至少部分遮蔽图案中形成有沿深度方向延伸的第一气隙。

可选的，所述遮蔽图案包括第一膜层、第二膜层及第三膜层，其中，所述第一膜层至少覆盖所述剩余深度的字线沟槽的侧壁，所述第二膜层及所述第三膜层顺次堆叠以填充剩余深度的字线沟槽并延伸至高于所述字线沟槽的顶部。

可选的，所述第二膜层填充剩余深度的字线沟槽的内壁，所述第三膜层遮盖所述字线沟槽的开口，以使所述第三膜层的下表面与所述第二膜层的上表面之间的间隙构成所述第一气隙。

可选的，所述第二膜层填充剩余深度的字线沟槽并延伸至高于所述字线沟槽的顶部，所述第三膜层覆盖所述第二膜层，所述第一气隙位于剩余深度的字线沟槽中的第二膜层中。

可选的，在深度方向上，所述第二膜层的厚度大于所述第三膜层的厚度。

可选的，所述第一膜层和所述第三膜层的材质包括氧化硅，所述第二膜层的材质包括氮化硅。

可选的，还包括：

多条隔离柱，位于所述衬底上且沿第二预定方向延伸，所述至少部分遮蔽图案中的每个图案均位于所述隔离柱与所述字线结构之间。