[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制作方法在审
申请号: | 202210374932.7 | 申请日: | 2022-04-11 |
公开(公告)号: | CN114784065A | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 张家朝;吴健;欧阳齐 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李佳桁 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 制作方法 | ||
本申请实施例公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。显示面板包括依次设置的阵列基板、阳极层、像素定义层、围栏层和阴极层,阵列基板包括依次设置的衬底基板和搭接层,搭接层包括搭接部,阳极层开设有第一开口并露出搭接部,像素定义层对应第一开口的位置开设有第二开口,围栏层包括围栏部,围栏部沿第二开口的边缘延伸,阴极层穿过第一开口和第二开口与搭接部电连接。本申请通过在像素定义层上设置围栏部,且围栏部沿第二开口的边缘延伸,使得在制作显示面板的过程中,围栏部能够起到支撑保护的作用,以便于搭接部的露出以及阴极层与搭接部的有效电连接,还能降低围栏部以外区域被刻蚀的风险,提高阴极层与搭接部的搭接效果。
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。
背景技术
随着显示面板的快速发展,对大尺寸显示面板的需求也越来越大,但大尺寸显示面板工作时显示面板显示区域的不同位置存在内阻压降,从而导致显示面板整体显示不均。为此,目前常采用在显示面板的阵列基板内制作搭接层作为辅助电极并在搭接层上对应位置形成底切结构,然后通过阴极层与搭接层的连接给压降较大的区域额外施加辅助,从而使整个显示面板工作时画面显示均一稳定。但现有技术中阴极层与搭接层的搭接方式复杂且搭接效果较差,从而导致显示面板制作工序复杂,生产良率低。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法,可以解决现有技术中阴极层与阵列基板中搭接层搭接方式复杂且搭接效果较差的问题。
本申请实施例提供一种显示面板,包括:
阵列基板,包括依次设置的衬底基板和搭接层所述搭接层包括搭接部;
阳极层,设置在所述阵列基板上,所述阳极层对应所述搭接部的位置开设有第一开口,所述第一开口露出所述搭接部;
像素定义层,设置在所述阵列基板和所述阳极层上,所述像素定义层对应所述第一开口的位置开设有第二开口;
围栏层,设置在所述像素定义层上,所述围栏层包括围栏部,所述围栏部沿所述第二开口的边缘延伸;
阴极层,设置在所述像素定义层和所述围栏层上,所述阴极层穿过所述第一开口和所述第二开口与所述搭接部电连接。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述围栏部沿所述第二开口的边缘延伸呈环形。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述围栏部为圆环形结构,所述围栏部的内径大于或等于6微米且小于或等于12微米;所述围栏部的外径与内径的差值大于或等于7微米且小于或等于12微米。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述围栏部的厚度大于或等于0.8微米且小于或等于2微米。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示面板包括多个像素区,所述像素定义层对应所述像素区的位置开设有像素开口,所述像素开口部分露出所述阳极层;至少两个相邻的所述像素区之间设置有所述搭接部。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示面板还包括发光层和电子传输层,所述发光层设置在所述阳极层上,所述发光层位于所述像素开口内,所述电子传输层位于所述发光层和所述像素定义层上。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述搭接层包括多个所述搭接部;相邻两个所述搭接部之间的间距大于或等于10毫米且小于或等于100毫米。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述发光层背离所述阵列基板的一侧相对所述阵列基板的高度小于所述围栏层背离所述阵列基板的一侧相对所述阵列基板的高度。
相应的,本申请实施例还提供一种显示装置,所述显示装置包括:
上述任一项所述的显示面板;
壳体,与所述显示面板连接;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的