[发明专利]电子传输组合物、发光元件以及制造该发光元件的方法

权利要求书

1.一种电子传输组合物，所述电子传输组合物包括：

金属氧化物；以及

光产酸剂，

其中，所述光产酸剂包括卤化的三嗪类化合物和肟磺酸盐类化合物中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的电子传输组合物，其中，所述光产酸剂由下面的式1或式2表示：

式1

其中，在式1中，R₁至R₃均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，

选自于R₁至R₃之中的至少任何一个是CX₃，并且

X是卤素原子；

式2

并且

其中，在式2中，R₄和R₅均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至30个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至30个碳原子的烯基、取代或未取代的硫醇基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基、取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且R₄和R₅可选择地结合到相邻基团以形成环，并且

R₆是取代或未取代的具有1个至30个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。

3.根据权利要求1所述的电子传输组合物，其中，所述光产酸剂与所述金属氧化物的质量比为0.0001:1至0.05:1。

4.根据权利要求1所述的电子传输组合物，所述电子传输组合物还包括具有4.75或更大的pKa的弱酸，

其中，所述光产酸剂与所述弱酸的质量比为0.01:1至100:1。

5.一种制造发光元件的方法，所述方法包括以下步骤：

在第一电极上形成空穴传输区域；

在所述空穴传输区域上形成发光层；

在所述发光层上形成电子传输区域；以及

在所述电子传输区域上形成第二电极，

其中，形成所述电子传输区域的步骤包括：制备根据权利要求1至权利要求4中任何一项的电子传输组合物；通过在所述发光层上施用所述电子传输组合物来形成初步电子传输区域；以及

用光照射所述初步电子传输区域。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述电子传输区域的步骤还包括在第一温度下对所述初步电子传输区域进行热处理。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在用光照射所述初步电子传输区域之前或之后在所述第一温度下对所述初步电子传输区域执行所述热处理。

8.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括在低于所述第一温度的第二温度下执行老化，在用光照射所述初步电子传输区域之后执行所述老化。

9.一种发光元件，所述发光元件包括：

第一电极；

空穴传输区域，在所述第一电极上；

发光层，在所述空穴传输区域上，所述发光层包括量子点；

电子传输区域，在所述发光层上；以及

第二电极，在所述电子传输区域上，

其中，所述电子传输区域包括：金属氧化物；以及酸和所述酸的共轭碱，通过光产酸剂的分解而产生。

10.根据权利要求9所述的发光元件，其中，所述共轭碱由下面的式3或式4表示：

式3

B^-

式4

并且

其中，在式3和式4中，

B是卤素原子，并且

R₇是取代或未取代的具有1个至30个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。