[发明专利]一种高湿环境下制备高质量甲脒基钙钛矿薄膜的方法及其制备的太阳能电池在审
申请号: | 202210367398.7 | 申请日: | 2022-04-08 |
公开(公告)号: | CN114824104A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 李亮;王旻;曹风人 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 杨慧林 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 环境 制备 质量 甲脒基钙钛矿 薄膜 方法 及其 太阳能电池 | ||
1.一种高湿环境下制备高质量甲脒基钙钛矿薄膜的方法,其特征在于,将甲脒基钙钛矿前驱体溶液旋涂于基体上,在旋涂过程中将包含庚胺的反溶剂滴加至旋涂的薄膜上,经退火处理得到甲脒基钙钛矿薄膜;所述甲脒基钙钛矿前驱体溶液为按比例配制的Csx(FAPbI3)y(MAPbBr3)1-y溶液,0≤x≤0.05、0.85≤y≤0.95。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述高湿环境的湿度为50%~70%的空气环境。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述旋涂的过程具体为:先将甲脒基钙钛矿前驱体溶液以500-2000rpm的速度旋涂5-10s,再以300-6000rpm的速度旋涂10-30s,在剩余5-10s旋涂过程中滴加包含庚胺的反溶剂。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述庚胺的添加量与甲脒基钙钛矿薄膜的质量比为0.0005-0.0012:1。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述包含庚胺的反溶剂的浓度为0.1-0.3mg/mL,所述反溶剂为乙酸乙酯。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述退火处理的温度为100-150℃,退火时间为10-50min。
7.一种甲脒基钙钛矿太阳能电池,包括从下至上依次设置的透明导电基底、电子传输层、甲脒基钙钛矿薄膜、空穴传输层及电极层,其特征在于,所述甲脒基钙钛矿薄膜由权利要求1-6任一项所述的方法制备得到。
8.根据权利要求7所述的一种甲脒基钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述甲醚基钙钛矿薄膜为Cs0.05(FAPbI3)0.95(MAPbBr3)0.05薄膜。
9.根据权利要求7所述的一种甲脒基钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述电子传输层的厚度为10-100nm,空穴传输层的厚度为100-300nm。
10.根据权利要求7所述的一种甲脒基钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述电子传输层的材料为二氧化锡或二氧化钛;所述空穴传输层的材料为有机共轭聚合物Spiro-OMeTAD或P3HT。
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