[发明专利]缺陷检查装置、缺陷检查方法及光掩模坯料的制造方法

说明书

本发明的缺陷检查装置具有：缺陷检测部，取得与基板缺陷相关的第一缺陷信息；以及比较信息取得部，获取对存储在存储部中的规定缺陷信息与所述第一缺陷信息进行比较后的结果。

技术领域

本发明涉及一种对基板缺陷的缺陷检查装置、缺陷检查方法及光掩模坯料的制造方法。

背景技术

在半导体器件(半导体装置)的制造工序中，普遍采用对图案转印用掩模照射曝光光线，并通过缩小光学系统将形成在掩模上的电路图案转印到半导体基板(半导体晶片)上的光刻技术。

图案转印用掩模通过在形成有厚度薄的光学膜的基板(掩模板)上形成电路图案来制造。这样的光学膜通常是以过渡金属化合物为主要成分的膜、或是含有过渡金属的以硅化合物为主要成分的膜，根据不同的目的，选择作为遮光膜发挥功能的膜、或是作为相移膜发挥功能的膜等。另外，有时也包括以光学膜的高精度加工为目的的加工辅助膜即硬掩模。

该图案转印用掩模被用作制造具有电路图案的半导体元件的原图，因此当转印用掩模存在缺陷时，该缺陷会被转印到电路图案上。因此，要求转印用掩模无缺陷，这同时也要求光掩模坯料无缺陷。基于这种需求，以往关于检测光掩模或光掩模坯料的缺陷的技术进行了很多相关的研究。

作为检测光掩模坯料和玻璃基板等缺陷的装置，已知有向基板上照射激光，通过光检测器接收因基板表面的缺陷引起的散射光，并根据来自光检测器的输出信号检测是否存在缺陷的检查装置。例如在日本特开2001-27611号公报中，记载了使用多个光束扫描试样表面，用光检测器检测来自试样的反射光的缺陷检查装置。在日本特开2003-4654号公报中，公开了利用光斑扫描试样表面，并利用来自试样表面的反射光检测试样表面区域的信息的检测光学系统，其中，在光路中配置有对与光斑的扫描方向对应的方向的单侧一半的光路进行遮光的遮光板，利用来自光检测器的输出信号的形状来判别凸状缺陷和凹状缺陷。

由于转印用掩模被用作微细图案的原版，因此必须排除妨碍图案转印忠实性的因素，即排出转印用掩模上的所有缺陷。因此，即使在掩模板的制造阶段，也需要检测在掩模图案中可能成为障碍的所有缺陷。

上述特开2001-27611号公报及特开2003-4654号公报中记载的检查装置均采用了光学缺陷检测法。光学缺陷检测法具有以下优点：可以在较短时间内进行广域缺陷检查，通过将光源短波长化，可以进行数10nm左右的微细缺陷的精密检测。

然而，根据本申请的发明人的研究，在上述日本特开2001-27611号公报及日本特开2003-4654号公报所记载的检查装置中，已确认检查光对于比较透明且厚度为10nm以下的薄膜中存在的凹状缺陷的检测能力不足，根据不同缺陷形状有时无法检测出数10μm左右的较大缺陷。

在上述光学膜成膜后实施基板清洗工序是产生凹状缺陷机理之一。也就是说，在成膜前的基板上附着有微粒等的情况下，如果在基板上成膜光学膜，则该光学膜的检查中可能会检测出因微粒导致的凸状缺陷。经过之后的清洗工序，如果粒子的尺寸大，则粒子会与其上的光学膜一起被除去，从而在光学膜上生成凹状缺陷。这种凹状缺陷尺寸比较大，但如果光学膜由相对于检查光而言较透明的材料构成的情况下，则难以用缺陷检查装置检测出来。

掩模板中几十μm的凹状缺陷对后续形成电路图案有致命的影响。因此，行业普遍期望确立一种能够提高可能被忽略的致命缺陷的检测率，从而能够将存在致命缺陷的基板排除的方法。

本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供一种缺陷检查装置、缺陷检查方法及光掩模坯料的制造方法，其能够检测、分析可能被忽略的缺陷从而提高检查的可靠性。

发明内容

【1】本发明的缺陷检查装置，其特征在于，包括：

缺陷检测部，获取与基板的缺陷有关的第一缺陷信息；以及

比较信息获取部，获取将存储在存储部中的规定缺陷信息与所述第一缺陷信息进行比较后的结果。