[发明专利]缺陷检查装置、缺陷检查方法及光掩模坯料的制造方法在审
申请号: | 202210363369.3 | 申请日: | 2022-04-07 |
公开(公告)号: | CN115201216A | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 寺岛隆世;吉野巧;寺泽恒男 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95;G03F1/84 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缺陷 检查 装置 方法 光掩模 坯料 制造 | ||
1.一种缺陷检查装置,其特征在于,包括:
缺陷检测部,获取与基板的缺陷有关的第一缺陷信息;以及
比较信息获取部,获取将存储在存储部中的规定缺陷信息与所述第一缺陷信息进行比较后的结果。
2.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于:
其中,在通过基板处理部对所述基板实施规定的处理之前,所述缺陷检测部获取与缺陷有关的第二缺陷信息,
将所述第二缺陷信息用作所述规定缺陷信息,并通过比较信息获取部获取将所述第二缺陷信息与所述第一缺陷信息进行比较后的结果。
3.根据权利要求2所述的缺陷检查装置,其特征在于:
其中,所述规定的处理为所述基板的清洗处理。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的缺陷检查装置,其特征在于:
其中,所述比较信息获取部从作为将所述规定缺陷信息与所述第一缺陷信息比较后的结果而获得的变化信息中获取发生变化的部位的位置信息。
5.根据权利要求4所述的缺陷检查装置,其特征在于,包括:
基于所述位置信息来显示放大图像的显示部。
6.根据权利要求1至3中任意一项所述的缺陷检查装置,其特征在于:
其中,所述基板为多层结构,
所述基板最表面的层由厚度为10nm以下的光学薄膜构成,
所述比较信息获取部获取与所述光学薄膜的一部分被去除这一缺陷有关的位置信息。
7.根据权利要求1至3中任意一项所述的缺陷检查装置,其特征在于:
其中,所述第一缺陷信息以及所述规定缺陷信息各自包含缺陷的位置信息以及缺陷的大小信息。
8.根据权利要求1至3中任意一项所述的缺陷检查装置,其特征在于:
所述第一缺陷信息通过照射检查光来获取,
通过扫描所述检查光或移动所述基板来实现所述检查光相对于所述基板的移动。
9.一种缺陷检查方法,其特征在于,包括:
获取与基板的缺陷有关的第一缺陷信息的工序;以及
获取将存储在存储部中的规定缺陷信息与所述第一缺陷信息进行比较后的结果的工序。
10.一种光掩模坯料的制造方法,其特征在于,包括:
使用权利要求9所述的缺陷检查方法来筛选光掩模坯料的工序。
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