[发明专利]半导体器件和方法

说明书

提供了制造工艺和器件，其中，在衬底内形成第一开口。使用第二蚀刻工艺将第一开口重塑为第二开口。利用自由基蚀刻实施第二蚀刻工艺，其中，自由基蚀刻利用中性离子。因此，减小衬底的推动。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

本申请是2017年12月05日提交的标题为“半导体器件和方法”、专利申请号为201711270350.X的分案申请。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件和方法。

背景技术

半导体器件用于诸如例如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备的各种电子应用中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在各个材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

半导体工业通过最小部件尺寸的持续减小持续地改进各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成到给定的区域。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应该解决的其它问题。

发明内容

本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上方形成栅极堆叠件；利用第一蚀刻工艺在所述半导体衬底中形成第一开口；以及使用与所述第一蚀刻工艺不同的第二蚀刻工艺将所述第一开口重塑为第二开口，其中，所述第二蚀刻工艺是自由基蚀刻工艺。

本发明的另一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底的半导体鳍上方形成伪栅极堆叠件，所述伪栅极堆叠件包括第一间隔件结构；去除所述半导体鳍的部分以形成第一开口，其中，利用各向异性蚀刻工艺形成所述第一开口；以及将所述第一开口修改为第二开口，其中，所述修改包括：由前体形成等离子体；和将来自所述等离子体的自由基引导至所述半导体鳍，同时过滤来自所述等离子体的带电粒子，防止所述带电粒子到达所述半导体鳍。

本发明的又一实施例提供了一种半导体器件，包括：第一半导体鳍，位于衬底上方；栅极堆叠件，位于所述第一半导体鳍上面；第一间隔件，位于所述栅极堆叠件的侧壁上；以及第一开口，位于所述第一半导体鳍内并且底切所述第一间隔件，所述第一开口的表面邻近距离与尖端邻近距离具有小于3nm的差异。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A至图1B示出了根据一些实施例的finFET器件。

图2示出了根据一些实施例的鳍中的第一开口的形成。

图3A至图3C示出了根据一些实施例的鳍中的第二开口的形成。

图4示出了根据一些实施例的第二开口的深度负载。

图5示出了根据一些实施例的替换栅极工艺。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。