[发明专利]半导体器件和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一半导体鳍，位于衬底上方；

栅极堆叠件，位于所述第一半导体鳍上面；

第一间隔件，位于所述栅极堆叠件的侧壁上；以及

第一开口，位于所述第一半导体鳍内并且底切所述第一间隔件，所述第一开口的表面邻近距离与尖端邻近距离具有小于3nm的差异，如果参考线与所述栅极堆叠件的侧壁对准，沿着所述第一半导体鳍的顶面从参考线至邻近于所述第一开口的所述第一半导体鳍测量第一距离以获得所述表面邻近距离，在所述第一半导体鳍的中间高度处从所述参考线至所述第一开口周围测量第二距离以获得所述尖端邻近距离。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一间隔件悬于所述第一开口之上介于1nm和4nm之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，表面沟道长度介于30nm和40nm之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，尖端沟道长度介于20nm和40nm之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：位于所述衬底上方的第二半导体鳍内的第二开口，所述第一开口和所述第二开口之间的深度负载介于-3nm和3nm之间，其中，所述第一开口位于具有第一密度的所述衬底的第一区域内，并且所述第二开口位于具有与所述第一密度不同的第二密度的所述衬底的第二区域内。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括邻近于所述衬底的所述第一区域中的所述第一间隔件的第二间隔件，其中，所述第一间隔件与所述第二间隔件间隔开介于20nm和50nm之间的距离。

7.一种半导体器件，包括：

第一栅极堆叠件，在衬底的第一区域中与第二栅极堆叠件相邻，所述第一栅极堆叠件与所述第二栅极堆叠件隔开20nm至50nm之间的第一距离；

第三栅极堆叠件，在所述衬底的第二区域中与第四栅极堆叠件相邻，所述第三栅极堆叠件与所述第四栅极堆叠件隔开100nm至400nm之间的第二距离；

第一外延区，在所述第一栅极堆叠件和所述第二栅极堆叠件之间，所述第一外延区延伸到所述衬底的第一半导体鳍中第三距离；以及

第二外延区，在所述第三栅极堆叠件和所述第四栅极堆叠件之间，所述第二外延区延伸到所述衬底的第二半导体鳍中与所述第三距离不同的第四距离，其中，所述第三距离和所述第四距离之间的差为-3nm和3nm。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一栅极堆叠件或所述第三栅极堆叠件中的一个具有介于约和约之间的表面邻近距离和介于1nm和4nm之间的尖端邻近距离。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述表面邻近距离与所述尖端邻近距离之间的差小于3nm。

10.一种半导体器件，包括：

半导体鳍，与第一栅极堆叠件相邻，其中，所述半导体鳍具有介于30nm至40nm之间的表面沟道长度；以及

第一开口，位于所述半导体鳍内，其中，所述第一开口具有小于3nm的表面邻近距离与尖端邻近距离的差。