[发明专利]晶圆级芯片封装方法、封装结构和电子设备

说明书

本发明提供了一种晶圆级芯片封装方法、封装结构和电子设备，涉及半导体领域。本发明的晶圆级芯片封装方法，充分利用成熟的倒装技术及晶圆级封装，现在载具上构建第一重新布线层和第一导电柱，再倒装芯片，将芯片上的第二导电柱与第一重新布线层连接，再形成塑封体并露出第一导电柱的端部，然后制作第二重新布线层和第一锡球，接着将载具从第一重新布线层上剥离，再在第一重新布线层远离塑封体的一侧制作第二锡球。该方法制作的晶圆级芯片封装机构能够实现双面扇出，能实现芯片的全面性包封，使之提高封装可靠性，具有体积小且能乘载更多的讯号连接点。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种晶圆级芯片封装方法、封装结构和电子设备。

背景技术

随着半导体行业的快速发展，晶圆级扇出封装结构广泛应用于半导体行业中。由于传统扇出封装通常只在平面空间进行展开，对于高讯号连接点位需求来说，传统扇出封装将会使得整体封装面积过大。

发明内容

本发明的目的包括提供一种晶圆级芯片封装方法，该封装方法能够增加扇出型封装结构的紧凑性，减小封装面积。本发明的目的还包括提供一种晶圆级芯片封装结构及电子设备。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明提供一种晶圆级芯片封装方法，包括：

在载具上制作第一重新布线层，在第一重新布线层上制作第一导电柱；

在芯片上制作第二导电柱；

将芯片倒装至第一重新布线层，以使芯片通过第二导电柱与第一重新布线层电连接；

制作塑封体以包覆第一重新布线层、芯片、第一导电柱以及第二导电柱，并露出第一导电柱远离载具的一端；

在塑封体上制作第二重新布线层，并在第二重新布线层上制作第一锡球，第二重新布线层通过第一导电柱与第一重新布线层电连接；

将载具与第一重新布线层分离，并在第一重新布线层远离塑封体的一侧制作第二锡球。

在可选的实施方式中，将载具与第一重新布线层分离的步骤之后，并在第一重新布线层远离塑封体的一侧制作第二锡球的步骤之前，晶圆级芯片封装方法还包括：将第二重新布线层通过临时薄膜贴装于载具；

在第一重新布线层远离塑封体的一侧制作第二锡球的步骤之后，晶圆级芯片封装方法还包括：去除第二重新布线层上的载具和临时薄膜。

在可选的实施方式中，在第一重新布线层远离塑封体的一侧制作第二锡球的步骤，包括：

在第一重新布线层上制作第三重新布线层，第三重新布线层与第二重新布线层电连接；

在第三重新布线层上制作第二锡球。

在可选的实施方式中，在载具上制作第一重新布线层的步骤，包括：

在载具上铺设胶膜，在胶膜上制作第一重新布线层；

其中，胶膜在载具与第一重新布线层分离时，从第一重新布线层脱除。

在可选的实施方式中，露出第一导电柱远离载具的一端的步骤，包括：

研磨塑封体以露出第一导电柱远离载具的一端。

在可选的实施方式中，将芯片倒装至第一重新布线层的步骤，包括将多个芯片倒装至第一重新布线层；

在第一重新布线层远离塑封体的一侧制作第二锡球的步骤之后，晶圆级芯片封装方法还包括：切割以形成单颗的晶圆级芯片封装结构。

在可选的实施方式中，第一导电柱、第二导电柱均为铜柱。

在可选的实施方式中，在芯片上制作第二导电柱的步骤在芯片的晶圆上进行。