[发明专利]晶圆级芯片封装方法、封装结构和电子设备

权利要求书

1.一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，包括：

在载具上制作第一重新布线层，在所述第一重新布线层上制作第一导电柱；

在芯片上制作第二导电柱；

将所述芯片倒装至所述第一重新布线层，以使所述芯片通过所述第二导电柱与所述第一重新布线层电连接；

制作塑封体以包覆所述第一重新布线层、所述芯片、所述第一导电柱以及所述第二导电柱，并露出所述第一导电柱远离所述载具的一端；

在所述塑封体上制作第二重新布线层，并在所述第二重新布线层上制作第一锡球，所述第二重新布线层通过所述第一导电柱与所述第一重新布线层电连接；

将所述载具与所述第一重新布线层分离，并在所述第一重新布线层远离所述塑封体的一侧制作第二锡球。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述将所述载具与所述第一重新布线层分离的步骤之后，并在所述第一重新布线层远离所述塑封体的一侧制作第二锡球的步骤之前，所述晶圆级芯片封装方法还包括：将所述第二重新布线层通过临时薄膜贴装于载具；

在所述第一重新布线层远离所述塑封体的一侧制作第二锡球的步骤之后，所述晶圆级芯片封装方法还包括：去除所述第二重新布线层上的载具和所述临时薄膜。

3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述在所述第一重新布线层远离所述塑封体的一侧制作第二锡球的步骤，包括：

在所述第一重新布线层上制作第三重新布线层，所述第三重新布线层与所述第二重新布线层电连接；

在所述第三重新布线层上制作所述第二锡球。

4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述在载具上制作第一重新布线层的步骤，包括：

在所述载具上铺设胶膜，在所述胶膜上制作所述第一重新布线层；

其中，所述胶膜在所述载具与所述第一重新布线层分离时，从所述第一重新布线层脱除。

5.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述露出所述第一导电柱远离所述载具的一端的步骤，包括：

研磨所述塑封体以露出所述第一导电柱远离所述载具的一端。

6.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述将所述芯片倒装至所述第一重新布线层的步骤，包括将多个所述芯片倒装至所述第一重新布线层；

所述在所述第一重新布线层远离所述塑封体的一侧制作第二锡球的步骤之后，所述晶圆级芯片封装方法还包括：切割以形成单颗的晶圆级芯片封装结构。

7.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述第一导电柱、所述第二导电柱均为铜柱。

8.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述在芯片上制作第二导电柱的步骤在所述芯片的晶圆上进行。

9.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，由权利要求1-8中任一项所述的晶圆级芯片封装方法制得。

10.根据权利要求9所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述晶圆级芯片封装结构包括至少两种不同规格的所述芯片。

11.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求9或10所述的晶圆级芯片封装结构。