[发明专利]一种显示模组及其绑定方法、拼接显示装置在审
申请号: | 202210343856.3 | 申请日: | 2022-03-31 |
公开(公告)号: | CN114709225A | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 龚金辉 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G09F9/30;G09F9/302 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 模组 及其 绑定 方法 拼接 显示装置 | ||
本申请提供一种显示模组及其绑定方法、拼接显示装置,所述显示模组包括:显示面板和覆晶薄膜,所述显示面板包括显示部和绑定部,所述绑定部包括至少一个绑定端子;所述覆晶薄膜包括至少一个引脚;其中,所述显示模组还包括金膜,所述金膜设置于所述绑定部和所述覆晶薄膜之间,所述绑定端子通过所述金膜与所述引脚电性连接。本申请通过在所述绑定部和所述覆晶薄膜之间形成具有优良导电性、高延展性和高键合强度的金膜,从而能够在保证绑定质量的同时,实现超窄边框,缩小拼接显示装置的拼接缝隙。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示模组及其绑定方法、拼接显示装置。
背景技术
现有的主流显示技术包括液晶显示(Liquid Crystal Display,LCD)技术、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示技术和微型发光二极管显示技术(Mini/Micro Light Emitting Diode,M-LED),而无论是何种显示技术,一般都会涉及到显示面板与外部驱动电路的绑定工艺,常规的绑定工艺一般采用异方性导电膜(AnisotropicConductive Film,ACF)绑定的方式,通过ACF胶将显示面板上的绑定端子(Bonding Pad)与覆晶薄膜(Chip On Flex/Chip On Film,COF)绑定到一起。
窄边框显示技术具有美观、更高屏占比、适用拼接显示等优点,是未来显示技术的发展重点,但现有的ACF绑定的绑定极限较大,无法满足用户需求。相较于ACF绑定,金属键合绑定能够实现更小的绑定极限,实现超窄边框,但现有的金属键合绑定存在以下问题:COF耐温性较差,采用较高的键合温度时容易影响COF品质,而低的键合温度又会影响键合效果;键合过程中容易产生各种高电阻的金属间化合物,影响导电性,且容易产生脆性界面,降低延展性和键合强度;存在容易氧化的问题,影响键合后的化学稳定性和导电性。
因此,如何在实现超窄边框的同时,消除现有技术中金属键合绑定存在的缺陷,以保证绑定质量是本领域研发人员急需解决的问题。
发明内容
本申请提供一种显示模组及其绑定方法、拼接显示装置,能够在保证良好的绑定质量的同时,实现窄边框。
为了实现上述目的,本申请的所述显示模组及其绑定方法、拼接显示装置采取了以下技术方案。
一方面,本申请提供一种显示模组,所述显示模组包括:
显示面板,包括显示部和绑定部,所述绑定部包括至少一个绑定端子;
覆晶薄膜,包括至少一个引脚;
其中,所述显示模组还包括金膜,所述金膜设置于所述绑定部和所述覆晶薄膜之间,所述绑定端子通过所述金膜与所述引脚电性连接。
可选的,所述绑定部包括沿第一方向间隔排布的多个所述绑定端子,所述覆晶薄膜包括沿第一方向间隔排布的多个所述引脚,其中,所述金膜包括沿第一方向间隔排布的多个连接部,每个所述连接部分别与一个所述绑定端子、一个所述引脚对应电性连接。
可选的,所述覆晶薄膜与所述绑定部相交叠的部分在第二方向上的延伸长度为a,其中,50μm≤a≤250μm,所述第二方向垂直于所述第一方向。
可选的,所述连接部在所述第一方向上的延伸长度大于所述绑定端子在所述第一方向上的延伸长度;所述连接部在所述第二方向上的延伸长度大于所述绑定端子在所述第二方向上的延伸长度。
可选的,所述金膜由第一金膜和第二金膜金属键合形成,键合的所述金膜的抗拉拔力大于500N/m。
另一方面,本申请还提供一种显示模组的制作方法,所述显示面板的制作方法包括以下步骤:
S01:提供一显示面板和一覆晶薄膜,所述显示面板包括显示部和绑定部,所述绑定部包括至少一个绑定端子,所述覆晶薄膜包括至少一个引脚;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的