[发明专利]有机发光二极管显示面板及其制造方法在审
申请号: | 202210313901.0 | 申请日: | 2022-03-28 |
公开(公告)号: | CN114664912A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 周万亮 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄舒悦 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
本申请提供一种有机发光二极管显示面板及其制造方法。有机发光二极管显示面板包括基板、薄膜晶体管层、钝化层以及阴极。薄膜晶体管层设置于基板上,包括源极、漏极以及辅助阴极,辅助阴极与源极和漏极同层设置。钝化层覆盖于薄膜晶体管层远离基板的一侧。阴极设置于钝化层远离薄膜晶体管层的一侧。其中,钝化层包括第一钝化层和第二钝化层,第一钝化层和第二钝化层之间形成底切结构。底切结构暴露辅助阴极,阴极延伸入底切结构中与辅助阴极连接。本申请的有机发光二极管显示面板利用钝化层形成底切结构,能够提升阴极以及辅助阴极的连接性能,降低电压降。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光二极管显示面板及其制造方法。
背景技术
有机发光二极管显示面板根据发光方向可以分为顶发光型和底发光型。在现有的顶发光型有机发光二极管显示面板中,由于阴极为整面电极,为了增加光的透过率,阴极需要尽可能薄。然而,阴极层厚度越小,电阻越大。当从显示面板边缘向阴极提供电信号时,从显示面板边缘到显示面板的中心,电压降(IR Drop)会逐渐增大。显示面板点亮以后,会出现边缘亮中间暗的现象。这种情况在大尺寸显示面板中更严重,成为目前大尺寸有机发光二极管显示面板需要攻克的难题之一。
通过在阵列基板上设置辅助阴极能够解决电压降的问题,阴极和辅助阴极通过过孔连通。但在电子传输层和/或电子注入层的蒸镀过程中,电子传输层和/或电子注入层会进入过孔中,占据过孔,从而阻碍阴极在过孔中与辅助阴极连接。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种能够提升阴极与辅助阴极连接性能的有机发光二极管显示面板及其制造方法。
本申请提供一种有机发光二极管显示面板,其包括:
基板;
薄膜晶体管层,设置于所述基板上,所述薄膜晶体管层包括源极、漏极以及辅助阴极,所述辅助阴极与所述源极和所述漏极同层设置;
钝化层,覆盖于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧;以及
阴极,设置于所述钝化层远离所述薄膜晶体管层的一侧;
其中,所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层,所述第二钝化层位于所述第一钝化层远离所述薄膜晶体管层的一侧,所述第一钝化层中开设有第一通孔,所述第二钝化层中开设有第二通孔,所述第一通孔与所述第二通孔连通,所述第一通孔与所述第二通孔构成底切结构,所述底切结构暴露所述辅助阴极,所述阴极延伸入所述底切结构中与所述辅助阴极连接。
可选的,在一种实施方式中,所述第一钝化层的材料包括氧化硅,所述第二钝化层的材料包括氮化硅。
可选的,在一种实施方式中,所述阴极位于所述底切结构的侧壁上,并与所述辅助阴极连接。
可选的,在一种实施方式中,所述有机发光二极管显示面板还包括电子功能层,所述电子功能层设置于所述阴极靠近所述钝化层的一侧,所述电子功能层的一部分位于所述底切结构中的所述辅助阴极上,所述阴极位于所述电子功能层的一部分与所述底切结构的侧壁之间。
可选的,在一种实施方式中,所述辅助阴极包括层叠设置的导电金属层和保护金属层,所述导电金属层设置于所述保护金属层与所述基板之间,所述保护金属层的材料抗氢氟酸腐蚀。
可选的,在一种实施方式中,所述有机发光二极管显示面板还包括平坦层,所述平坦层设置于所述钝化层远离所述薄膜晶体管层的一侧,所述平坦层中开设有第三通孔,所述第三通孔与所述第二通孔连通,所述阴极从所述第三通孔延伸入所述底切结构中。
本申请还提供一种有机发光二极管显示面板的制造方法,其包括以下步骤:
提供基板;
在所述基板上形成薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括源极、漏极以及辅助阴极,所述辅助阴极与所述源极和所述漏极同层设置;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的