[发明专利]有机发光二极管显示面板及其制造方法在审
申请号: | 202210313901.0 | 申请日: | 2022-03-28 |
公开(公告)号: | CN114664912A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 周万亮 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄舒悦 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示面板,其特征在于,包括:
基板;
薄膜晶体管层,设置于所述基板上,所述薄膜晶体管层包括源极、漏极以及辅助阴极,所述辅助阴极与所述源极和所述漏极同层设置;
钝化层,覆盖于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧;以及
阴极,设置于所述钝化层远离所述薄膜晶体管层的一侧;
其中,所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层,所述第二钝化层位于所述第一钝化层远离所述薄膜晶体管层的一侧,所述第一钝化层中开设有第一通孔,所述第二钝化层中开设有第二通孔,所述第一通孔与所述第二通孔连通,所述第一通孔与所述第二通孔构成底切结构,所述底切结构暴露所述辅助阴极,所述阴极延伸入所述底切结构中与所述辅助阴极连接。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一钝化层的材料包括氧化硅,所述第二钝化层的材料包括氮化硅。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述阴极位于所述底切结构的侧壁上,并与所述辅助阴极连接。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述有机发光二极管显示面板还包括电子功能层,所述电子功能层设置于所述阴极靠近所述钝化层的一侧,所述电子功能层的一部分位于所述底切结构中的所述辅助阴极上,所述阴极位于所述电子功能层的一部分与所述底切结构的侧壁之间。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述辅助阴极包括层叠设置的导电金属层和保护金属层,所述导电金属层设置于所述保护金属层与所述基板之间,所述保护金属层的材料抗氢氟酸腐蚀。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述有机发光二极管显示面板还包括平坦层,所述平坦层设置于所述钝化层远离所述薄膜晶体管层的一侧,所述平坦层中开设有第三通孔,所述第三通孔与所述第二通孔连通,所述阴极从所述第三通孔延伸入所述底切结构中。
7.一种有机发光二极管显示面板的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供基板;
在所述基板上形成薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括源极、漏极以及辅助阴极,所述辅助阴极与所述源极和所述漏极同层设置;
在所述薄膜晶体管层上形成钝化层,所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层,所述第二钝化层位于所述第一钝化层远离所述薄膜晶体管层的一侧;利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻以形成底切结构,所述蚀刻液对所述第一钝化层的蚀刻速度大于所述第二钝化层的蚀刻速度,所述底切结构暴露所述辅助阴极;以及
在所述钝化层上形成阴极,所述阴极延伸入所述底切结构中与所述辅助阴极连接。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示面板的制造方法,其特征在于,
所述在所述薄膜晶体管层上形成钝化层之后,所述利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻之前还包括:
利用蚀刻气体对所述第一钝化层和所述第二钝化层同步进行蚀刻,以在所述第一钝化层中形成预制孔,所述预制孔贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层,并在所述薄膜晶体管层的上方形成接触孔,以暴露所述薄膜晶体管层的源极;
所述利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻包括:
在所述预制孔处利用蚀刻液对所述第一钝化层和所述第二钝化层进行蚀刻。
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