[发明专利]一种在硅衬底上制备纤锌矿InGaN纳米棒的方法有效
| 申请号： | 202210275260.4 | 申请日： | 2022-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN114717535B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李天保;黄鹏达;赵庆江;胡栋;张艳;许并社 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;B82Y30/00;B82Y40/00;C23C16/02 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 翟冲燕 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 制备 锌矿 ingan 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在硅衬底上制备纤锌矿InGaN纳米棒的方法，其特征在于：具体步骤如下：
（1）设备安装：硅衬底放入管式炉反应区中；三个直径为20mm的小石英内管放入一个直径为80mm的石英外管中，小石英内管两个在上，一个在下，上方两小石英内管分别将N2与NH3传输至石英外管内；下方石英内管内放置GaCl3和InCl3，通入N2作为InCl3和GaCl3的载气；反应前通400-600sccmN2用于清洗和稀释反应物，在大气压下进行反应；
（2）氨化处理硅衬底：大气压强下氨化处理硅衬底，反应区升温至350℃时通入1000-1500sccmNH3保持15min-25min；处理后硅表面形成Si-N键；
（3）生长InGaN纳米棒：NH3流速不变；调整N2载气流速为250-1000sccm；控制反应区温度至550-650℃，加热InCl3至380-420℃，加热GaCl3至70-90℃，生长时间为20-40min。
2.根据权利要求1所述的一种在硅衬底上制备纤锌矿InGaN纳米棒的方法，其特征在于：所述上方小石英内管长100mm；下方石英内管长1700mm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
