[发明专利]在晶片上生长外延层的方法

说明书

实施例提供在晶片上生长外延层的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将至少一个晶片引入处理腔室中，(b)在使用升降杆支撑晶片的同时将晶片装载到与基座邻近的区域，(c)预加热晶片，以及(d)将晶片放入基座的袋中并加热晶片，以在晶片上沉积外延层，其中，步骤(a)和步骤(b)中的基座上方的第一灯的输出和基座下方的第二灯的输出被设置为与步骤(c)和步骤(d)中的第一灯的输出和第二灯的输出不同。

本申请要求于2021年3月30日提交的韩国专利申请第10-2021-0041234号的权益，该专利申请通过引用整体并入本文，如在本文中完整阐述。

技术领域

实施例涉及在晶片上生长外延层的方法，更具体地，涉及在生长外延层的过程期间减轻晶片的翘曲以防止大错位凹陷(large dislocation pit，LDP)和局部光散射(LLS)的发生率的方法。

背景技术

晶片(诸如单晶硅晶片)经受各种处理，诸如在晶片的表面上沉积一层预定材料、蚀刻表面上的预定材料层、或对整个晶片进行热处理。这些处理可以被分为分批式(batch-type)处理(其中多个晶片被容纳于用作反应器的腔室中，并同时被处理)和单个式(single-type)处理(其中一次只有一个晶片被处理)。

在单个式处理中，晶片被安置在基座或卡盘上以被处理，并且已知有晶片处理装置，该晶片处理装置具有使用晶片升降杆通过通孔抬升晶片的底表面的结构，当将晶片安置在基座上或当从该基座分离经处理的晶片时，该结构形成于基座的预定部分中。

对于使用此类处理装置在晶片上的预定材料层的蒸汽相生长，在晶片被装载进入腔室后，当其被升降杆支撑时，预定材料层可以蒸汽相生长。

然而，在晶片上生长外延层的传统方法具有以下问题。

在使用升降杆抬升的晶片的底表面的部分处，可能生成一种被称为杆痕的污染或缺陷。考虑到此类杆痕在包括高温热的处理(例如，外延生长、热处理等)中频繁地生成，假设杆痕是因为由升降杆引起的局部热损失导致的晶片中的温度均匀性变差而产生的。而且，杆痕可能是由升降杆的表面上的硅层或颗粒导致的。

此外，当室温下的晶片被引入高温下的处理腔室时，由翘曲引起的大错位凹陷(LDP)的发生可能增加，并且局部光散射(LLS)也可能增加。此处，“LLS”是使用激光分析的缺陷之中，通过光散射观察的缺陷的通用术语，并且LLS可以是通过散射观察的晶片表面上的所有缺陷。

为了降低上述晶片上的缺陷的发生率，已经有根据晶片的类型改变装载温度或改善装载时间的尝试。

然而，尚未有通过调整处理腔室中的灯的输出平衡以控制晶片的翘曲的尝试。

发明内容

因此，本发明涉及一种在晶片上生长外延层的方法，其基本上避免了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。

本发明的目的是提供一种调整处理腔室中的灯的输出平衡的方法，以便减少由于晶片的翘曲导致的大错位凹陷(LDP)和局部光散射(LLS)的发生率。

本发明的附加优点、目的和特征将在下面的描述中部分阐述，并且在对以下内容进行检查后，对于本领域的普通技术人员，部分将变得显而易见，或者可以从本发明的实践中学习。本发明的目的和其他优点可以通过在本发明的书面说明书和权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。

为了实现这些目的和其他优点，并根据本发明的目的，如本文所体现和广泛描述的，在晶片上生长外延层的方法包括以下步骤：(a)将至少一个晶片引入处理腔室中，(b)在使用升降杆支撑晶片的同时将晶片装载到与基座邻近的区域，(c)预加热晶片，以及(d)将晶片放入基座的袋中并加热晶片，以在晶片上沉积外延层，其中，步骤(a)和(b)中的基座上方的第一灯和基座下方的第二灯的输出被设置为与步骤(c)和(d)中的第一灯和第二灯的输出不同。