[发明专利]一种低压下将纳米金刚石薄膜中石墨相转变为金刚石相的方法有效
| 申请号： | 202210271216.6 | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN114752916B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 胡晓君;朱志光;姜从强;陈成克;郭迪峰;柯昌成 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/02;C23C16/56 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 朱思兰 |
| 地址： | 310014 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压下 纳米 金刚石 薄膜 石墨 转变为 方法 | ||
1.一种低压下将纳米金刚石薄膜中石墨相转变为金刚石相的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)对单晶硅衬底进行种晶预处理
将金刚石微粉的丙三醇悬浊液滴加于抛光绒布表面，然后用抛光绒布打磨单晶硅衬底，再将打磨后的单晶硅衬底置于金刚石微粉的蒸馏水悬浊液中超声振荡，之后取出完成种晶预处理；
(2)在化学气相沉积设备中对钽丝进行碳化处理
将钽丝安装于化学气相沉积设备中进行碳化处理，碳化处理的条件为：碳化腔体气压1.6～6kPa，碳源为冰水浴的丙酮，鼓泡气体为氢气，鼓泡流量和直通氢气流量比60～90：100sccm，碳化电压7V，保持时间5～10min，将碳化电压提高至12V，保持时间5～10min，将碳化电压提高至15V，保持时间2～5min；
(3)在单晶硅衬底上生长纳米金刚石薄膜
将经过步骤(1)预处理的单晶硅衬底置于化学气相沉积设备的沉积腔体内，腔体气压1～2kPa，鼓泡氢气流量与直通氢气流量比为70～100：200sccm，热丝功率4000～4500W，沉积时间40～60min，在单晶硅衬底上制备得到晶界带有石墨相或非晶碳的纳米金刚石薄膜；
(4)对纳米金刚石薄膜进行高温退火
将步骤(3)获得的生长有纳米金刚石薄膜的单晶硅衬底封于真空石英管中，将石英管置于900～1000℃的马弗炉中退火30min，之后取出，在单晶硅衬底上得到金刚石。
2.如权利要求1所述的低压下将纳米金刚石薄膜中石墨相转变为金刚石相的方法，其特征在于，步骤(1)中，金刚石微粉的丙三醇悬浊液的浓度为0.01～0.05g/ml。
3.如权利要求1所述的低压下将纳米金刚石薄膜中石墨相转变为金刚石相的方法，其特征在于，步骤(1)中，金刚石微粉的蒸馏水悬浊液的浓度为0.01g/ml。
4.如权利要求1所述的低压下将纳米金刚石薄膜中石墨相转变为金刚石相的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述钽丝为直径0.5～0.7mm，纯度99.99％的退火态钽丝。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江工业大学，未经浙江工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210271216.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：农业种植用农药喷洒方法
- 下一篇：一种推进器喷泵
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
