[发明专利]一种铱配合物衍生物、制备方法及其应用

说明书

本发明涉及光刻胶技术领域，涉及一种铱配合物衍生物、制备方法及其应用。本发明借助香豆素衍生物高摩尔吸收系数的性质，引入金属重原子铱原子加强其分子内的系间窜越，通过激发三重态，进而引发与共引发剂有效的发生电子转移，改变了光刻胶的敏感波长，并提高了光酸的产率，改善光刻胶组合物中的光敏性，进一步增强光刻胶的灵敏度、单体的交联能力、光刻胶的线宽粗糙度、分辨率、成膜能力。

技术领域

本发明涉及光刻胶技术领域，更具体地，涉及一种铱配合物衍生物、制备方法及其应用。

背景技术

光刻胶，又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要用于集成电路和半导体分立器件的微细加工，同时在平板显示、LED、倒扣封装磁头及精密传感器等制作过程中也有着广泛的应用。根据光化学反应机理不同，光刻胶分为正性光刻胶与负性光刻胶：曝光后，光刻胶在显影液中溶解性增加，得到与掩模版相同图形的称为正性光刻胶；曝光后，光刻胶在显影液中溶解性降低甚至不溶，得到与掩模版相反图形的称为负性光刻胶。而光刻胶的三个重要参数包括分辨率、灵敏度和线宽粗糙度，这些参数决定了光刻胶在芯片制造时的工艺窗口。

在光刻胶组合物中，较弱的灵敏度会致使单体无法得到充分的交联，需要加入光敏剂进一步调节其灵敏度。但过量的光敏剂会出现曝光过度现象，为此加入适当比例的光敏剂尤为重要。随着光刻技术的发展，光刻图案的尺寸要求越来越小，对光刻图案的分辨率和边缘粗糙度的要求也越来越高，因此，开发新的光敏体系改善光致抗蚀剂性能是很有必要的。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种铱配合物衍生物、制备方法及其在光刻胶中的应用，借助香豆素衍生物高摩尔吸收系数的性质，引入金属重原子铱原子加强其分子内的系间窜越，通过激发三重态，进而引发与共引发剂有效的发生电子转移，改变了光刻胶的敏感波长，并提高了光酸的产率，改善光刻胶组合物中的光敏性，进一步增强光刻胶的灵敏度、单体的交联能力、光刻胶的线宽粗糙度、分辨率、成膜能力等。

为达此目的，通过以下技术方案实现：

一种铱配合物衍生物，其结构为下式中的一种：

其中：

R₁和R₂选自氢原子、C₁～C₂₀的烷基、C₃～C₂₀的环烷基或具有碳碳不饱和双键的一价有机基团，R₁和R₂相同或不同；R₃、R₄、R₅和R₆选自氢原子、甲氧基、苯氧基、硝基、氰基、三氟甲基、羧基、巯基、卤素原子或烷基，R₃、R₄、R₅和R₆相同或不同；R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁和R₁₂选自碳原子或氮原子，R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁和R₁₂相同或不同。

所述的烷基可以是甲基、乙基或丙基，也可以是取代的甲基、乙基或丙基；C₁～C₂₀的烷基可以是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正戊基、十二烷基、十八烷基或二十烷基；C₃～C₂₀的环烷基可以是环丙基、环戊基、环癸基、环十二烷基或环二十烷基；具有碳碳不饱和双键的一价有机基团，可以是乙烯基中的氢原子被部分取代的情况。

上述的铱配合物衍生物的制备方法，具体如下：