[发明专利]一种单核Ⅲ-Ⅴ族量子点及其制备方法

说明书

本申请涉及量子点的制备技术领域，具体而言，涉及一种单核Ⅲ‑Ⅴ族量子点及其制备方法。单核Ⅲ‑Ⅴ族量子点的制备方法包括依次执行如下步骤：将Ⅲ族源、第一配体以及非配位性溶剂混合进行第一反应制备外延用阳离子源；将Ⅲ‑Ⅴ族晶种与外延用阳离子源混合进行第二反应、加入第一阴离子源进行第三反应、加入有机酸进行第四反应以及加入第二阴离子源进行第五反应；其中，第一阴离子源和第二阴离子源均为Ⅴ族源。本申请制备的单核Ⅲ‑Ⅴ族量子点尺寸大且尺寸均一性较佳，能够满足产业化的需求。

技术领域

本申请涉及量子点的制备技术领域，具体而言，涉及一种单核Ⅲ-Ⅴ族量子点及其制备方法。

背景技术

Ⅲ-Ⅴ族量子点由于其具有独特的电子和光学性质，广泛应用于光通讯、探测、发光二极管以及生物成像等领域。

依赖Focusing理论，Ⅲ-Ⅴ族量子点的成核以及生长过程难以分开，致使现有的单核Ⅲ-Ⅴ族量子点存在尺寸瓶颈；同时，随着单核Ⅲ-Ⅴ族量子点尺寸增加，单核Ⅲ-Ⅴ族量子点的尺寸分布较宽，导致量子点尺寸均一性较差，极大地阻碍了单核Ⅲ-Ⅴ族量子点的产业化进程。

发明内容

本申请的目的在于提供一种单核Ⅲ-Ⅴ族量子点及其制备方法，其旨在改善现有的单核Ⅲ-Ⅴ族量子点尺寸较小且尺寸均一性较差的问题。

本申请第一方面提供一种单核Ⅲ-Ⅴ族量子点的制备方法，包括依次执行如下步骤：

将Ⅲ族源、第一配体以及非配位性溶剂混合进行第一反应制备外延用阳离子源；将Ⅲ-Ⅴ族晶种与外延用阳离子源混合进行第二反应、加入第一阴离子源进行第三反应、加入有机酸进行第四反应以及加入第二阴离子源进行第五反应。其中，第一阴离子源和第二阴离子源均为Ⅴ族源。

本申请制备的外延用阳离子源能够与Ⅲ-Ⅴ族晶种表面的不饱和键以及悬键键合，提高Ⅲ-Ⅴ族晶种的稳定性，有利于后续量子点稳定生长。加入有机酸进行第四反应，然后再加入为Ⅴ族源的第二阴离子源进行第五反应，使得量子点进一步生长。由于第三反应后的体系中会存在量子点的自成核现象，有机酸能够与自成核量子点发生键合作用，有利于自成核量子点后续有序生长，有利于提高最终制得的单核Ⅲ-Ⅴ族量子点的尺寸均一性。本申请制备的单核Ⅲ-Ⅴ族量子点尺寸大且尺寸均一性较佳，能够满足产业化的需求。

本申请第二方面提供一种单核Ⅲ-Ⅴ族量子点，采用上述第一方面提供的单核Ⅲ-Ⅴ族量子点的制备方法制得。

本申请制备的单核Ⅲ-Ⅴ族量子点尺寸大且尺寸均一性较佳，能够满足产业化的需求。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了本申请实施例1的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外-可见光吸收图。

图2示出了本申请实施例2的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外-可见光吸收图。

图3示出了本申请实施例3的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外-可见光吸收图。

图4示出了本申请实施例4的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外-可见光吸收图。

图5示出了本申请实施例5的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外-可见光吸收图。

图6示出了本申请实施例6的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外-可见光吸收图。

图7示出了本申请对比例1的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外-可见光吸收图。

图8示出了本申请对比例2的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外-可见光吸收图。