[发明专利]一种单核Ⅲ-Ⅴ族量子点及其制备方法

权利要求书

1.一种单核Ⅲ-Ⅴ族量子点的制备方法，其特征在于，包括依次执行如下步骤：

将Ⅲ族源、第一配体以及非配位性溶剂混合进行第一反应制备外延用阳离子源；将Ⅲ-Ⅴ族晶种与所述外延用阳离子源混合进行第二反应、加入第一阴离子源进行第三反应、加入有机酸进行第四反应以及加入第二阴离子源进行第五反应；

其中，所述第一阴离子源和所述第二阴离子源均为Ⅴ族源。

2.根据权利要求1所述的单核Ⅲ-Ⅴ族量子点的制备方法，其特征在于，所述有机酸与所述外延用阳离子源的摩尔比为(0.05-0.5)：1；

可选地，所述有机酸与所述外延用阳离子源的摩尔比为(0.1-0.3)：1。

3.根据权利要求1所述的单核Ⅲ-Ⅴ族量子点的制备方法，其特征在于，所述第一阴离子源与所述外延用阳离子源的摩尔比以及所述第二阴离子源与所述外延用阳离子源的摩尔比均为(0.06-0.25)：1；

可选地，所述第一阴离子源与所述外延用阳离子源的摩尔比以及所述第二阴离子源与所述外延用阳离子源的摩尔比均为(0.15-0.20)：1。

4.根据权利要求1所述的单核Ⅲ-Ⅴ族量子点的制备方法，其特征在于，所述第二反应前还包括对所述Ⅲ-Ⅴ族晶种进行预处理；所述预处理的温度为210-260℃，所述预处理的时间为10-60min；

可选地，所述预处理的温度为220-240℃，所述预处理的时间为20-40min。

5.根据权利要求1-4任一项所述的单核Ⅲ-Ⅴ族量子点的制备方法，其特征在于，所述有机酸选自一元有机酸、二元有机酸或多元有机酸，且所述有机酸中的碳原子数目≥6；所述Ⅴ族源选自磷源或砷源；

可选地，所述有机酸包括油酸、棕榈酸、十二烷酸、十四烷酸、十八烷酸中的至少一种；

可选地，所述Ⅴ族源选自三(三甲基硅基)磷或三(三甲基甲硅烷基)砷。

6.根据权利要求1-4任一项所述的单核Ⅲ-Ⅴ族量子点的制备方法，其特征在于，所述Ⅲ族源选自铟源或镓源；所述第一配体包括碳原子数目≥6的饱和脂肪酸以及碳原子数目≥6的不饱和脂肪酸中的至少一种；

可选地，所述Ⅲ族源选自铟源，所述铟源包括醋酸铟、硝酸铟、乙酰丙酮铟、氯化铟以及硫酸铟中的至少一种；

可选地，所述第一配体包括棕榈酸、油酸、十四酸、十六酸、十二酸以及十八酸中的至少一种；

可选地，所述非配位性溶剂包括十八烯、十八烷以及二十烯中的至少一种。

7.根据权利要求1-4任一项所述的单核Ⅲ-Ⅴ族量子点的制备方法，其特征在于，所述第二反应的温度为210-280℃，所述第二反应的时间为10-60min；

可选地，所述第二反应的温度为220-240℃，所述第二反应的时间为10-30min。

8.根据权利要求1-4任一项所述的单核Ⅲ-Ⅴ族量子点的制备方法，其特征在于，所述第四反应的温度为170-280℃，所述第四反应的时间为5-40min；

可选地，所述第四反应的温度为200-240℃，所述第四反应的时间为20-30min。

9.根据权利要求1-4任一项所述的单核Ⅲ-Ⅴ族量子点的制备方法，其特征在于，在所述第三反应与所述第四反应之间还包括加入第三阴离子源进行第六反应；

和/或，在所述第五反应后还包括加入第四阴离子源进行第七反应；

其中，所述第三阴离子源以及所述第四阴离子源均为Ⅴ族源。

10.一种单核Ⅲ-Ⅴ族量子点，其特征在于，所述单核Ⅲ-Ⅴ族量子点采用如权利要求1-9任一项所述的单核Ⅲ-Ⅴ族量子点的制备方法制得。