[发明专利]一种新型半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202210244113.0 | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114628314A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 孔真真;王桂磊;亨利·H·阿达姆松;任宇辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 苑晨超 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种新型半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
在第一衬底上形成防缺陷结构，其中，所述防缺陷结构包括叠层结构和图形化结构中的任意一种或两种的组合；
在防缺陷结构上形成第一功能材料，以形成低缺陷衬底。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一衬底上形成防缺陷结构包括：在第一衬底上依次交错堆叠形成至少一层第一膜层和至少一层第二膜层，以形成叠层结构。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一衬底上形成防缺陷结构包括：采用图形化材料在第一衬底上形成图形，并在图形凹槽中形成填充材料，以形成图形化结构。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一衬底上形成防缺陷结构包括：
在第一衬底上依次交错堆叠形成至少一层第一膜层和至少一层第二膜层，以形成叠层结构；
采用图形化材料在叠层结构上形成图形，并在图形凹槽中形成填充材料，以形成图形化结构。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一衬底上形成防缺陷结构包括：
采用图形化材料在第一衬底上形成图形，并在图形凹槽中形成填充材料，以形成图形化结构；
在图形化结构上依次交错堆叠形成至少一层第一膜层和至少一层第二膜层，以形成叠层结构。
6.根据权利要求3-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述图形化材料包括介质材料或者第二功能材料，其中，第二功能材料与第一功能材料具有至少一种相同的元素。
7.根据权利要求3-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述填充材料包括第三功能材料，所述第三功能材料与第一功能材料具有至少一种相同的元素。
8.根据权利要求3-5任意一项所述的方法，其特征在于，在所述图形化结构形成之前，还包括：采用第一功能材料或者填充材料形成预形成层。
9.根据权利要求3-5任意一项所述的方法，其特征在于，在所述图形化结构形成之后，还包括：采用填充材料形成后形成层。
10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述叠层结构形成之前，还包括，采用第一功能材料形成预形成层。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在防缺陷结构上形成第一功能材料之后还包括：在所述第一功能材料上形成防缺陷结构。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述低缺陷衬底上形成键合膜层，以获得第一中间结构；
在第二衬底上依次形成介质膜层和键合膜层，以获得第二中间结构；
将第一中间结构的键合膜层和第二中间结构的键合膜层进行键合，以获得键合结构；
对键合结构中的第一衬底和与第一衬底接触的防缺陷结构进行去除，以获取半导体器件衬底。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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