[发明专利]一种甲脒铅碘基钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202210240999.1 | 申请日: | 2022-03-10 |
公开(公告)号: | CN114613913A | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 谢伟广;林东旭;庞娜娜;黄子熠;陈科;刘彭义 | 申请(专利权)人: | 暨南大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
代理公司: | 北京瑞盛铭杰知识产权代理事务所(普通合伙) 11617 | 代理人: | 廖锐 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 甲脒铅碘基钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种甲脒铅碘基钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1.将导电基底进行预处理,得到预处理后的导电基底;
S2.在步骤S1预处理后的导电基底上形成电子传输层;
S3.采用甲脒碘与碘化铅为原料,使用蒸镀的方法在步骤S2形成的电子传输层的表面制备FAPbI3钙钛矿前驱薄膜;
S4.将步骤S3制备得到的FAPbI3钙钛矿前驱薄膜放置于湿度≥70%的环境中,使FAPbI3钙钛矿前驱薄膜发生相变,形成纯黄色相FAPbI3钙钛矿薄膜;
S5.将步骤S4得到的纯黄色相FAPbI3钙钛矿薄膜进行热退火处理,使黄色相FAPbI3钙钛矿薄膜相变成纯黑色相FAPbI3钙钛矿薄膜;
S6.在步骤S5得到的纯黑色相FAPbI3钙钛矿薄膜的表面,形成空穴传输层;
S7.在步骤S6形成的空穴传输层的表面形成电极,得到甲脒铅碘基钙钛矿太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的甲脒铅碘基钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S4中,所述FAPbI3钙钛矿前驱薄膜在湿度≥70%的环境中的放置时间为3min-10min。
3.根据权利要求1所述的甲脒铅碘基钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述预处理包括将导电基底进行刻蚀、清洗和等离子处理体步骤。
4.根据权利要求3所述的甲脒铅碘基钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S2中,形成所述电子传输层包括如下步骤:将电子传输材料的前驱液旋涂于步骤S1预处理后的导电基底形成前驱体膜,之后,将所述前驱体膜进行退火,得到电子传输层。
5.根据权利要求4所述的甲脒铅碘基钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S3中,制备所述FAPbI3钙钛矿前驱薄膜包括如下具体步骤:将碘化铅粉末蒸镀于所述电子传输层的表面形成碘化铅薄膜,然后将甲脒碘粉末进行加热蒸镀,使甲脒碘粉末形成甲脒碘蒸气与碘化铅薄膜发生反应,形成FAPbI3钙钛矿前驱薄膜。
6.根据权利要求5所述的甲脒铅碘基钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,在步骤S2中,所述退火的温度为120℃-150℃,所述退火的时间为30min-60min;在步骤S3中,待所述退火的温度降至80℃时,将碘化铅粉末蒸镀于所述电子传输层的表面;所述加热蒸镀的温度为100℃-150℃,所述加热蒸镀的时间为1h-2h。
7.根据权利要求6所述的甲脒铅碘基钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S5中,所述热退火的温度为140℃-150℃,所述热退火的时间为12min-18min。
8.根据权利要求1所述的甲脒铅碘基钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S6中,形成所述空穴传输层包括如下具体步骤:将空穴传输材料旋涂于所述纯黑色相FAPbI3钙钛矿薄膜的表面后,放进干燥箱中进行氧化,形成空穴传输层;所述氧化的时间设定为8h-20h;步骤S7中,形成所述电极的包括如下步骤:将电极材料蒸镀于所述空穴传输层的表面,形成电极。
9.根据权利要求5所述的甲脒铅碘基钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述导电基底的厚度为1mm-1.1mm;所述前驱体膜的厚度为20nm-30nm;所述碘化铅薄膜的厚度为200nm-300nm;所述电极的厚度为80nm。
10.一种甲脒铅碘基钙钛矿太阳能电池,其特征在于,由权利要求1-9任一项所述的甲脒铅碘基钙钛矿太阳能电池的制备方法制备得到。
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