[发明专利]一种光刻板及其应用与芯片

权利要求书

1.一种光刻板，其特征在于，包括第一子板、第二子板和第三子板，所述第一子板、第二子板和第三子板上均设置有若干阵列排列的光刻版图，所述光刻版图包括多个相互独立的透光区域，多个所述透光区域均匀排列在同一圆周上，所述第一子板上的透光区域和第二子板上的透光区域的尺寸相同，且交错设置，所述第三子板上的透光区域和第一子板上的透光区域的位置相对应，且第三子板上的透光区域的尺寸小于第一子板上透光区域的尺寸。

2.根据权利要求1所述的一种光刻板，其特征在于，一个所述光刻版图包括4-10个透光区域。

3.根据权利要求2所述的一种光刻板，其特征在于，所述透光区域的形状为扇形。

4.根据权利要求1-3任一项权利要求所述的光刻板在VCSEL芯片中的应用。

5.根据权利要求4所述的光刻板在VCSEL芯片中的应用，其特征在于，所述光刻板用于VCSEL芯片的氧化刻蚀工序。

6.根据权利要求5所述的光刻板在VCSEL芯片中的应用，其特征在于，所述光刻板的应用方法具体为：

S1：取全结构外延片，在外延片上旋涂一层光刻胶，然后使用第一子板进行曝光，显影后，镀上金属材料，得到P-欧姆接触金属环，去胶；

S2：在S1步骤得到的外延片表面旋涂光刻胶，使用第二子板进行曝光，显影后，通过干法刻蚀向下刻蚀至N-DBR层形成台阶，露出氧化层；

S3：利用湿法氧化工艺对氧化层进行氧化，形成氧化孔，定义出发光区域；

S4：氧化完成后，在S3步骤得到的外延片表面沉积一层光学膜；

S5：在光学膜表面旋涂上光刻胶，利用第三子板进行曝光，显影后，利用干法刻蚀对光学膜进行刻蚀，得到纵向通道；

S6：利用溅射金属工艺，在电极槽内镀上金属材料，形成p面的金属互联，然后进行后续的常规制备工序。

7.根据权利要求6所述的光刻板在VCSEL芯片中的应用，其特征在于，所述S1和S6步骤中的金属材料为钛、铬、钨、金、铂、锑中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的光刻板在VCSEL芯片中的应用，其特征在于，所述全结构的外延片依次包括单晶衬底、N-DBR、量子阱有源层、氧化层、P-DBR。

9.芯片，其特征在于，所述芯片的制备过程中采用了权利要求1-3任一项权利要求所述的光刻板。