[发明专利]一种高压集成电路及其控制方法

权利要求书

1.一种高压集成电路，其特征在于：包括MCU处理器、延时脉冲单元、电压检测单元和高侧驱动单元；

所述延时脉冲单元包括移位寄存器、第一单脉冲GEN、第二单脉冲GEN、第一或门和第二或门；

所述第一单脉冲GEN的输入端与上位机的HIN信号输出口电连接，所述第一单脉冲GEN的上升沿输出端与所述第一或门的输入端a1电连接，所述第一单脉冲GEN的下降沿输出端与所述第二或门的输入端b1电连接；

所述移位寄存器的清零管脚CR与所述MCU处理器的清零信号输出端/CR电连接，所述移位寄存器的时钟管脚CPA与所述MCU处理器的PWM输出端Tys电连接，上位机的HIN信号输出口与所述移位寄存器的串行输入端电连接；所述移位寄存器的输出端Q与所述第二单脉冲GEN的输入端电连接，所述第二单脉冲GEN的上升沿输出端与所述第一或门的输入端b2电连接，所述第二单脉冲GEN的下降沿输出端与所述第二或门的输入端a2电连接；

所述第一或门的输出端a3与所述高侧驱动单元内的N沟道DMOS管Q1的栅极电连接，所述第二或门的输出端b3与所述高侧驱动单元内的N沟道DMOS管Q2的栅极电连接；所述N沟道DMOS管Q1的源极和N沟道DMOS管Q2的源极均接地，所述N沟道DMOS管Q1的漏极与高侧驱动单元内的RS触发器的触发端S电连接，所述N沟道DMOS管Q1的漏极与高侧驱动单元内的RS触发器的输入端R电连接；

所述电压检测单元的检测端与所述高侧驱动单元的输出端VS电连接，所述电压检测单元的信号输送端与所述MCU处理器的电压信号输入端VVS电连接。

2.根据权利要求1所述的高压集成电路，其特征在于：所述高压集成电路还包括温度检测单元，所述温度检测单元包括温度传感器NTC和电阻R1，所述温度传感器NTC设置于所述高压集成电路的封装内，所述温度传感器NTC的一端与所述电阻R1的一端电连接，所述温度传感器NTC的一端还与所述MCU处理器的温度输入端TV电连接，所述温度传感器NTC的另一端接地，所述电阻R1的另一端与电源VCC电连接。

3.根据权利要求2所述的高压集成电路，其特征在于：所述温度传感器NTC为热敏电阻。

4.根据权利要求1所述的高压集成电路，其特征在于：所述移位寄存器为D触发器移位寄存器，所述移位寄存器由多个D触发器依次排列组成，所有D触发器的触发端C1并联后组成所述移位寄存器的时钟管脚CPA，所述移位寄存器的串行输入端为第一个所述D触发器的输入端D1。

5.根据权利要求1所述的高压集成电路，其特征在于：所述移位寄存器为JK触发器移位寄存器，所述移位寄存器由多个JK触发器依次排列组成，所有JK触发器的触发端C2并联后组成所述移位寄存器的时钟管脚CPA，所述上位机的HIN信号输出口与第一个所述JK触发器的输入端J电连接，所述上位机的HIN信号输出口通过非门还与第一个所述JK触发器的输入端K电连接。