[发明专利]一种降低芯片静态电压衰减的方法和系统

权利要求书

1.一种降低芯片静态电压衰减的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：获取芯片的电路布局图；

S2：将芯片的电路布局图中的属性相同的金属层作为一个检测金属层组，属性相同是指所述检测金属层组的所有金属层输入或者输出同一个电信号；

S3：在芯片的电路布局图中查找检测金属层组中的不同高度的两条金属层所产生的重叠区域；

S4：判断检测金属层组中的不同高度的两条金属层在其产生的重叠区域处是否连接。

2.根据权利要求1所述的一种降低芯片静态电压衰减的方法，其特征在于，在步骤S3中，在芯片的电路布局图中查找检测金属层组中的不同高度的两条金属层所产生的重叠区域的步骤如下：

先为芯片的电路布局图中的金属层分配层地址和网络地址，同一层的金属层的层地址相同，属性相同的金属层的网络地址相同；

然后在芯片的电路布局图中查找检测金属层组中的层地址不同的两条金属层所存在的重叠区域。

3.根据权利要求1或2所述的一种降低芯片静态电压衰减的方法，其特征在于，在步骤S4中，如果检测金属层组中的不同高度的两条金属层在其产生的重叠区域处不连接，则生成位置报告，所述位置报告用于显示电路布局图中的失联区域的位置，所述失联区域是指检测金属层组中的不同高度的两条金属层在其产生的重叠区域不连接的重叠区域。

4.根据权利要求3所述的一种降低芯片静态电压衰减的方法，其特征在于，所述位置报告为芯片的金属层的俯视图，在所述俯视图中，不同层的金属层以不同状态显示。

5.根据权利要求1所述的一种降低芯片静态电压衰减的方法，其特征在于，在步骤S4中，判断检测金属层组中的不同高度的两条金属层在其产生的重叠区域处是否连接的步骤如下：在芯片的电路布局图中判断检测金属层组中的不同高度的两条金属层的重叠区域之间是否存在通孔，如果存在通孔，则检测金属层组中的不同高度的两条金属层在其产生的重叠区域连接。

6.一种降低芯片静态电压衰减的系统，其特征在于，包括输入单元、分组单元和处理单元；所述输入单元用于输入芯片的电路布局图；所述分组单元用于将芯片的电路布局图中的属性相同的金属层作为一个检测金属层组，属性相同是指所述检测金属层组的所有金属层输入或者输出同一个电信号；所述处理单元包括重叠区域查找单元和判断单元，所述重叠区域查找单元被配置于在芯片的电路布局图中查找检测金属层组中的不同高度的两条金属层所产生的重叠区域，所述判断单元被配置于判断检测金属层组中的不同高度的两条金属层在其产生的重叠区域处是否连接。

7.根据权利要求6所述的一种降低芯片静态电压衰减的系统，其特征在于，所述分组单元还为芯片的电路布局图中的金属层分配层地址和网络地址，同一层的金属层的层地址相同，属性相同的金属层的网络地址相同；所述重叠区域查找单元被配置于在电路布局图中查找检测金属层组中的层地址不同的两条金属层所存在的重叠区域。

8.根据权利要求6所述的一种降低芯片静态电压衰减的系统，其特征在于，所述处理单元还包括显示单元，所述显示单元在检测金属层组中的不同高度的两条金属层在其产生的重叠区域处不连接时生成位置报告，所述位置报告用于显示电路布局图中的失联区域的位置，所述失联区域是指检测金属层组中的不同高度的两条金属层在其产生的重叠区域不连接的重叠区域。

9.根据权利要求6所述的一种降低芯片静态电压衰减的系统，其特征在于，所述判断单元根据芯片的电路布局图判断检测金属层组中的不同高度的两条金属层的重叠区域之间是否存在通孔，如果存在通孔，则检测金属层组中的不同高度的两条金属层在其产生的重叠区域连接。