[发明专利]一种用于半导体生产的单晶炉

说明书

本发明涉及单晶炉设备技术领域，且公开了一种用于半导体生产的单晶炉，包括单晶炉本体，所述单晶炉本体内设有坩埚和旋转管，所述旋转管贯穿单晶炉的底部和保温层与坩埚固定连接，所述旋转管可旋转可轴向移动，所述坩埚的内壁设有倾斜的第一导向件和第二导向件。该用于半导体生产的单晶炉，在二次加料时，通过储液环暂时储存硅液，在加料后再使液体回流到坩埚中，避免加料使硅液的溅射，保证单晶炉内的其他部件表面不被污染，同时直接在高温时直接加料，减少了能源的消耗，降低生产成本，其次，在需要排出废液时，通过旋转管的旋转将废液甩入排液管中，并通过旋转管直接排出，在不停炉的前提下，对废液进行清理，提高生产效率。

技术领域

本发明涉及单晶炉设备技术领域，具体为一种用于半导体生产的单晶炉。

背景技术

集成电路离不开芯片的控制，芯片的生产离不开晶圆，晶圆生产需要使用单晶炉拉棒。

在现有的单晶炉生产时，需要二次加料，在二次加料的过程中，由于坩埚的底部通常会残留一些液态的硅单晶，可能会导致硅液溅出，聚集在加热器表面，影响加热器效率，增加能耗并降低晶圆生产品质，若是等待温度下降后，再进行二次加料，会流失大量的热量，增加生产能耗。

另一方面，多次加料后，杂质在富集作用下，聚集在坩埚底部，为了保证晶圆的生产质量，需要定期的停炉清理，增加生产成本，并降低生产效率。

发明内容

针对上述背景技术的不足，本发明提供了一种用于半导体生产的单晶炉的技术方案，通过储液环暂时储存硅液后进行加料，避免二次加料时引起的硅液溅射，并且通过离心力将废液排出，实现在不停炉的前提下清理废液。

本发明提供如下技术方案：一种用于半导体生产的单晶炉，包括单晶炉本体，所述单晶炉本体内设有坩埚和旋转管，所述旋转管贯穿单晶炉的底部和保温层与坩埚固定连接，所述旋转管可旋转可轴向移动，所述坩埚的内壁设有倾斜的第一导向件和第二导向件，且第一导向件和第二导向件的倾斜方向相反，所述坩埚的上端设有储液环，所述第一导向件通过导向管将液体导向储液环中，所述储液环的开口朝外部倾斜，所述第二导向件的顶部连通有排液管，所述排液管与旋转管连通，旋转管的底部设有隔热封堵塞。

优选的，所述储液环截面为勾形。

优选的，所述导向管为管形件，所述第一导向件延伸至导向管的内部，所述导向管的顶部贴着储液环的内。

优选的，所述第二导向件的顶部设有阻拦盒，所述第二导向件延伸至阻拦盒的内部。

优选的，所述储液环为带有缺口的环形，所述储液环的一端设有拦截段，另一端设置有斜面。

优选的，所述储液环内壁光滑。

本发明具备以下有益效果：

1、该用于半导体生产的单晶炉，在二次加料时，通过储液环暂时储存硅液，在加料后再使液体回流到坩埚中，一方面，避免加料使硅液的溅射，保证单晶炉内的其他部件表面不被污染，另一方面，直接在高温时直接加料，减少了能源的消耗，降低生产成本。

2、该用于半导体生产的单晶炉，在需要排出废液时，通过旋转管的旋转将废液甩入排液管中，并通过旋转管直接排出，在不停炉的前提下，对废液进行清理，提高生产效率。

附图说明

图1为本发明实施例一中坩埚和旋转管的结构示意图；

图2为本发明中图1的俯视图；

图3为本发明中图2中AA的截面示意图；

图4为本发明中图2中BB的截面示意图；

图5为本发明实施例二中储液环的结构示意图。