[发明专利]一种用于半导体生产的单晶炉在审
| 申请号： | 202210207337.4 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN114672873A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 梁芷欣 | 申请（专利权）人： | 梁芷欣 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 合肥左心专利代理事务所(普通合伙) 34152 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 510000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 生产 单晶炉 | ||
1.一种用于半导体生产的单晶炉，包括单晶炉本体，其特征在于：所述单晶炉本体内设有坩埚(1)和旋转管(2)，所述旋转管(2)贯穿单晶炉的底部和保温层与坩埚(1)固定连接，所述旋转管(2)可旋转可轴向移动，所述坩埚(1)的内壁设有倾斜的第一导向件(3)和第二导向件(5)，且第一导向件(3)和第二导向件(5)的倾斜方向相反，所述坩埚(1)的上端设有储液环(4)，所述第一导向件(3)通过导向管(6)将液体导向储液环(4)中，所述储液环(4)的开口朝外部倾斜，所述第二导向件(5)的顶部连通有排液管(7)，所述排液管(7)与旋转管(2)连通，旋转管(2)的底部设有隔热封堵塞。
2.根据权利要求1所述的一种用于半导体生产的单晶炉，其特征在于：所述储液环(4)截面为勾形。
3.根据权利要求1所述的一种用于半导体生产的单晶炉，其特征在于：所述导向管(6)为管形件，所述第一导向件(3)延伸至导向管(6)的内部，所述导向管(6)的顶部贴着储液环(4)的内。
4.根据权利要求1所述的一种用于半导体生产的单晶炉，其特征在于：所述第二导向件(5)的顶部设有阻拦盒(10)，所述第二导向件(5)延伸至阻拦盒(10)的内部。
5.根据权利要求1所述的一种用于半导体生产的单晶炉，其特征在于：所述储液环(4)为带有缺口的环形，所述储液环(4)的一端设有拦截段(9)，另一端设置有斜面(8)。
6.根据权利要求5所述的一种用于半导体生产的单晶炉，其特征在于：所述储液环(4)内壁光滑。
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