[发明专利]基板处理设备及基板处理方法

说明书

本发明涉及基板处理设备及基板处理方法。本发明构思提供一种基板处理设备。所述基板处理设备包含：具有处理空间的腔室；置放于所述处理空间内且支撑基板的支撑单元；及用于自供应至所述处理空间的工艺气体产生等离子的等离子产生单元，且其中所述等离子产生单元包含：第一电极及面向所述第一电极的第二电极，所述第二电极由能够传输电磁波的材料制成。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年3月2日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0027367的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文描述的本发明构思的实施例涉及一种用于处理基板的设备及使用等离子处理该基板的方法。

背景技术

在半导体装置工艺期间，通过进行微影术、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积、清洗等各种工艺，在基板上形成所需图案。其中，蚀刻工艺为选择性地移除形成在基板上的膜的至少一部分的工艺，并且使用湿法蚀刻及干法蚀刻。

其中，使用等离子的蚀刻装置用于干法蚀刻。通常，为了形成等离子，在腔室的内部空间中产生电磁场，且电磁场将腔室中提供的工艺气体激发成等离子状态。

等离子是指包含离子、电子、自由基等的电离气体状态。等离子由极高温度、强电场或RF电磁场产生。在半导体装置工艺中，使用等离子进行蚀刻工艺。

在使用等离子升高基板处理设备中的基板温度的方法中，通过使用其上置放有基板的基板支撑构件的加热装置(加热线；heating wire)来升高基板的温度。

然而，在使用加热线的基板加热方法中，基板的升温需要很长时间，且难以均匀地加热整个基板。

发明内容

本发明构思的实施例提供一种用于在使用等离子的基板处理工艺中快速加热基板的基板处理设备及基板处理方法。

本发明构思的实施例也提供一种用于方便地更换加热源且控制基板的温度的基板处理设备及基板处理方法。

本发明构思的技术目的不限于上述目的，本领域技术人员通过以下描述将清楚了解其他未提及的技术目的。

本发明构思提供一种基板处理设备。所述基板处理设备包括具有处理空间的腔室；置放于所述处理空间内且支撑基板的支撑单元；及用于自供应至所述处理空间的工艺气体产生等离子的等离子产生单元，且其中所述等离子产生单元包含：第一电极、及面向所述第一电极的第二电极，所述第二电极由能够传输电磁波的材料制成。

在实施例中，所述基板处理设备包含用于加热所述基板的加热单元。

在实施例中，所述加热单元包含使用热辐射的加热装置。

在实施例中，所述加热装置为IR灯、闪光灯、激光或微波中的任一者。

在实施例中，所述第二电极设置在所述腔室的顶壁处，所述加热单元设置在所述腔室的所述顶壁上方，且所述顶壁由能够传输电磁波的材料制成。

在实施例中，所述第二电极设置为具有用于将反应气体供应至置放在所述支撑单元上的所述基板上的通孔的喷头类型。

在实施例中，所述第二电极由氧化铟锡(ITO)、氧化锰(MnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、FTO、AZO、石墨烯、碳纳米管(Carbon Nano Tube；CNT)、金属纳米线或PEDOT-PSS中的任一者制成。