[发明专利]基板处理设备及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理设备，其包含：

腔室，所述腔室具有处理空间；

支撑单元，所述支撑单元置放于所述处理空间内且支撑基板；及

等离子产生单元，所述等离子产生单元用于自供应至所述处理空间的工艺气体产生等离子；

其中，所述等离子产生单元包含：

第一电极；及

第二电极，所述第二电极面向所述第一电极，所述第二电极由能够传输电磁波的材料制成。

2.如权利要求1所述的基板处理设备，其进一步包含用于加热所述基板的加热单元。

3.如权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述加热单元包含使用热辐射的加热装置。

4.如权利要求3所述的基板处理设备，其中，所述加热装置为IR灯、闪光灯、激光及微波中的任一者。

5.如权利要求3所述的基板处理设备，其中，所述第二电极设置在所述腔室的顶壁处，所述加热单元设置在所述腔室的所述顶壁上方，且所述顶壁由能够传输电磁波的材料制成。

6.如权利要求5所述的基板处理设备，其中，所述第二电极设置为具有用于将反应气体供应至置放在所述支撑单元上的所述基板上的通孔的喷头类型。

7.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述第二电极由氧化铟锡(ITO)、氧化锰(MnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、FTO、AZO、石墨烯、碳纳米管(CNT)、金属纳米线及PEDOT-PSS中的任一者制成。

8.一种基板处理设备，其包含：

腔室，等离子反应工艺在所述腔室中进行；

支撑单元，所述支撑单元设置在所述腔室内的底侧处，将基板保持于所述支撑单元上且包括第一电极；

第二电极，所述第二电极设置在所述腔室的顶侧处，用于为所述腔室内进行的所述等离子反应工艺产生电场；及

电源供应装置，所述电源供应装置用于将RF功率施加至所述第二电极及/或所述第一电极，以在所述第二电极与所述第一电极之间产生电场；

其中，所述第二电极由能够传输电磁波的材料制成。

9.如权利要求8所述的基板处理设备，其进一步包含用于加热所述基板的加热单元。

10.如权利要求9所述的基板处理设备，其中，所述加热单元包含使用热辐射的加热装置。

11.如权利要求10所述的基板处理设备，其中，所述加热装置为IR灯、闪光灯、激光及微波中的任一者。

12.如权利要求10所述的基板处理设备，其中，所述第二电极设置在所述腔室的顶壁处，且所述加热单元设置在所述腔室的所述顶壁上方。

13.如权利要求12所述的基板处理设备，其中，所述顶壁由能够传输电磁波的材料制成。

14.如权利要求12所述的基板处理设备，其中，所述第二电极由氧化铟锡(ITO)、氧化锰(MnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、FTO、AZO、石墨烯、碳纳米管(CNT)、金属纳米线及PEDOT-PSS中的任一者制成。

15.如权利要求13所述的基板处理设备，其中，所述第二电极设置为具有用于将反应气体供应至置放在所述支撑单元上的所述基板上的通孔的喷头类型。