[发明专利]用于功率模块的低杂散电感母排结构在审
| 申请号: | 202210184575.8 | 申请日: | 2022-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN114823588A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
| 发明(设计)人: | 王庆凯;高崎哲 | 申请(专利权)人: | 上海正海世鲲半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01R9/24 |
| 代理公司: | 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 | 代理人: | 沈国良 |
| 地址: | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 功率 模块 低杂散 电感 结构 | ||
1.一种用于功率模块的低杂散电感母排结构,包括塑壳、正极母排、负极母排、覆铜陶瓷基板、散热器和晶源, 所述晶源焊接在覆铜陶瓷基板上,所述覆铜陶瓷基板焊接在散热器上,所述塑壳固定在所述散热器上,所述正极母排和负极母排通过超声键合固定在覆铜陶瓷基板上,并且所述正极母排和负极母排通过注塑与塑壳固定在一起,其特征在于:所述正极母排和负极母排叠层并列间隔布置并且垂直于所述覆铜陶瓷基板, 所述正极母排和负极母排从所述塑壳外部端子处延伸到所述覆铜陶瓷基板的上方。
2.根据权利要求1所述的用于功率模块的低杂散电感母排结构,其特征在于:所述正极母排和负极母排延伸到覆铜陶瓷基板正上方形成折弯部,所述折弯部与覆铜陶瓷基板平行布置。
3.根据权利要求1或2所述的用于功率模块的低杂散电感母排结构,其特征在于:所述正极母排和负极母排叠层并列间隔布置的间距≤3mm。
4.根据权利要求3所述的用于功率模块的低杂散电感母排结构,其特征在于:本结构还包括灌封胶,所述灌封胶浇注于所述覆铜陶瓷基板表面,并且功率模块内部的灌封胶的灌胶面高于所述正极母排和负极母排与所述覆铜陶瓷基板表面的连接部。
5.根据权利要求3所述的用于功率模块的低杂散电感母排结构,其特征在于:所述正极母排和负极母排自与所述覆铜陶瓷基板表面的连接部至所述折弯部经多次台阶式折弯形成台阶部。
6.根据权利要求4或5所述的用于功率模块的低杂散电感母排结构,其特征在于:所述正极母排和负极母排与所述覆铜陶瓷基板表面的连接部与覆铜陶瓷基板形成叠层结构,并且所述连接部顶面至覆铜陶瓷基板表面的间距≤3mm,所述连接部至少延伸一个与所述覆铜陶瓷基板表面超声键合的焊脚。
7.根据权利要求6所述的用于功率模块的低杂散电感母排结构,其特征在于:所述覆铜陶瓷基板与所述正极母排和负极母排连接部连接的覆铜层对称或非对称布置,所述正极母排和负极母排连接部边缘与所述覆铜陶瓷基板的覆铜层边缘之间的间距≥0mm,所述正极母排电流自正极母排流入位于正极母排连接部正下方的覆铜陶瓷基板的覆铜层,所述负极母排电流自位于负极母排连接部正下方的覆铜陶瓷基板的覆铜层流出负极母排。
8.根据权利要求7所述的用于功率模块的低杂散电感母排结构,其特征在于:所述正极母排连接部的电流方向与位于正极母排连接部正下方的覆铜陶瓷基板覆铜层的电流方向相反,所述负极母排连接部的电流方向与位于负极母排连接部正下方的覆铜陶瓷基板覆铜层的电流方向相反。
9.根据权利要求7或8所述的用于功率模块的低杂散电感母排结构,其特征在于:所述正极母排的折弯部与位于所述负极母排连接部正下方的覆铜陶瓷基板覆铜层具有部分重叠区域,且所述正极母排的折弯部位于该覆铜层上方。
10.根据权利要求7或8所述的用于功率模块的低杂散电感母排结构,其特征在于:所述负极母排的折弯部与位于所述正极母排连接部正下方的覆铜陶瓷基板覆铜层具有部分重叠区域,且所述负极母排的折弯部位于该覆铜层上方。
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