[发明专利]半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的表面增强拉曼衬底的制备方法

权利要求书

1.一种半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的表面增强拉曼衬底的制备方法，其特征在于，包括：

第一步，制备纳米锥阵列结构衬底；

第二步，在所述纳米锥阵列结构表面沉积一层纳米厚度的贵金属膜；

第三步，制备半导体氧化物纳米颗粒，单分散负载在所述贵金属纳米锥阵列结构表面。

2.如权利要求1所述的半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的表面增强拉曼衬底的制备方法，其特征在于：所述第一步进一步具体为将硅片采用低温电感耦合等离子体增强反应离子刻蚀技术进行蚀刻得到大面积高密度纳米锥阵列结构衬底。

3.如权利要求1所述的半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的表面增强拉曼衬底的制备方法，其特征在于：所述第一步中，蚀刻所用的反应气体为SF₆及O₂。

4.如权利要求1所述的半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的表面增强拉曼衬底的制备方法，其特征在于：所述第一步中，蚀刻反应压强为0.5～10Pa，反应功率为20～80W，反应气体SF₆流量为20～80sccm，O₂流量为5～15sccm，刻蚀时间为15～120s。

5.如权利要求1所述的半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的表面增强拉曼衬底的制备方法，其特征在于：所述第二步中，所述纳米厚度的贵金属膜采用磁控溅射或热蒸镀方法中的任意一种。

6.如权利要求1所述的半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的表面增强拉曼衬底的制备方法，其特征在于：所述第二步中的贵金属可以为金或银中的任意一种，贵金属膜的厚度为15～60nm。

7.如权利要求1所述的半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的表面增强拉曼衬底的制备方法，其特征在于：所述第三步中采用溶液化学合成法制备半导体氧化物，所选半导体为ZnO。

8.如权利要求7所述的半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的表面增强拉曼衬底的制备方法，其特征在于：二水醋酸锌和硝酸铝在乙醇溶液中的摩尔比为1:1，室温混合均匀之后需在70℃磁力搅拌下加热60min；采用提拉浸渍法，贵金属纳米锥衬底在上述溶液中的浸渍时间为15～60s，提拉速率为6000μm/s，随后在50～80℃下干燥5～20min，重复2～6次上述提拉干燥过程；最后需在400℃下退火处理30min。

9.采用权利要求1至8任一项所述制备方法制备而成的半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的表面增强拉曼衬底。