[发明专利]一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置在审
| 申请号: | 202210179307.7 | 申请日: | 2019-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN114551555A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
| 发明(设计)人: | 袁粲;李永谦;袁志东 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 丁睿 |
| 地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置,该阵列基板包括:衬底基板,以及位于衬底基板上的驱动晶体管,位于驱动晶体管上的绝缘层,绝缘层在驱动晶体管的第一电极上具有过孔;位于绝缘层上的导电部,导电部通过过孔与驱动晶体管的第一电极相连;位于导电部上且填充于过孔的填充部;位于填充部和导电部上且与导电部电连接的发光器件,发光器件在衬底基板上的正投影覆盖过孔在衬底基板上的正投影。通过填充部的设置将过孔进行填充,形成一个由该填充部和导电部组成的平坦化的平面,再在该平面形成与导电部电连接的发光器件,使该发光器件可以设置在过孔所在的区域,从而增加像素的开口率,可以有效的提高显示面板的使用寿命。
本申请是分案申请,原申请的申请号是201910244376.X,原申请日是2019年03月28日,原申请的名称是《一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置》,原申请全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,人们对显示面板的质量要求也越来越高,针对基于打印方式的OLED显示面板,在阵列基板上发光器件的制作的位置受到很大的局限,从而会对显示面板的使用寿命产生影响。
相关技术中,发光器件的阳极通过设置在阵列基板上的过孔与用于驱动该发光器件的驱动晶体管的第一电极电连接,由于该过孔的存在,在制作后续膜层的时候会形成断层,该断层的形成到这该过孔所在的区域无法设置为像素的开口区域,导致像素的开口率降低。
因此,如何提高阵列基板中像素的开口率是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置,用以解决相关技术中阵列基板的像素开口率低的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括衬底基板,以及位于所述衬底基板上的驱动晶体管,所述阵列基板还包括:
位于所述驱动晶体管上的绝缘层,所述绝缘层在所述驱动晶体管的第一电极上具有过孔;
位于所述绝缘层上的导电部,所述导电部通过所述过孔与所述驱动晶体管的第一电极相连;
位于所述导电部上且填充于所述过孔的填充部;
位于所述填充部和所述导电部上且与所述导电部电连接的发光器件,所述发光器件在所述衬底基板上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底基板上的正投影。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述导电部位于除所述过孔所在区域外的部分且远离所述衬底基板一侧的表面与所述填充部远离所述衬底基板一侧的表面齐平。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述阳极层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底基板上的正投影。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述发光器件包括依次位于填充部和所述导电部上的阳极层、发光功能层以及阴极层;
所述阳极层在所述衬底基板上的正投影与所述导电部在所述衬底基板上的正投影完全重叠。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,还包括:像素界定层,所述阳极层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述像素界定层的开口区域在所述衬底基板上的正投影。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述绝缘层包括依次位于所述驱动晶体管上的钝化层和树脂层。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述填充部为树脂材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





