[发明专利]一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置有效

专利信息
申请号: 202210175725.9 申请日: 2022-02-25
公开(公告)号: CN114609499B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 程万坡;张兴杰;王荣元 申请(专利权)人: 江苏韦达半导体有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;H01L21/66;H01L21/68
代理公司: 北京康达联禾知识产权代理事务所(普通合伙) 11461 代理人: 何浩
地址: 225000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 检测 击穿 电压 双极型 晶体管 制造 装置
【说明书】:

发明属于电子元件生产领域,尤其是一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置,针对现有的双极型晶体管在生产过程中,没有设置相关的击穿检测装置,还需人工进行检测,比较浪费时间,使得生产效率低下的问题,现提出如下方案,其包括底座,所述底座的顶部固定安装有安装架,且安装架的顶部固定安装有放置罩,所述放置罩内设有晶体管,所述安装架的顶部内壁上对称固定安装有插接组件,且插接组件的数量为两个,本发明通过对晶体管进行卡装定位,之后可对晶体管进行正向和反向电流测试,以此能够对晶体管进行性能测试和逆向击穿测试,因此相较于传统的检测方式,本技术方案具有良好的方便性,因此能够提高晶体管的生产效率。

技术领域

本发明涉及电子元件生产技术领域,尤其涉及一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置。

背景技术

由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中,中间一层称基区,外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时,在发射区和集电区之间就会形成较大的电流,这就是晶体管的放大效应。

目前在双极型晶体管在生产过程中,没有设置相关的击穿检测装置,还需人工进行检测,比较浪费时间,使得生产效率低下,所以我们提出一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置,用于解决上述提出的问题。

发明内容

基于背景技术存在双极型晶体管在生产过程中,没有设置相关的击穿检测装置,还需人工进行检测,比较浪费时间,使得生产效率低下的技术问题,本发明提出了一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置。

本发明提出的一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置,包括底座,所述底座的顶部固定安装有安装架,且安装架的顶部固定安装有放置罩,所述放置罩内设有晶体管,所述安装架的顶部内壁上对称固定安装有插接组件,且插接组件的数量为两个,所述晶体管的两个阳极引脚分别与两个插接组件电性连接,所述放置罩上连接有卡装组件,且卡装组件与晶体管相卡装,所述卡装组件与安装架相连接,所述底座的顶部固定安装有固定箱,且固定箱内连接有传动组件,所述传动组件的顶部延伸至安装架内并连接有接电组件,所述接电组件分别与两个插接组件相配合,所述底座的顶部固定安装有位于固定箱右侧的电动推杆,且传动组件的右侧延伸至安装架内并与电动推杆的输出轴相连接。

优选的,所述插接组件包括接电罩、传电杆和金属杆,所述接电罩固定安装在安装架的顶部内壁上,设置接电罩能够对传电杆进行支撑,所述传电杆贯穿接电罩的底部内壁并与接电罩的底部内壁固定连接,所述晶体管的阳极引脚延伸至接电罩内并与传电杆电性插接,设置传电杆能够方便对晶体管进行供电,所述金属杆贯穿传电杆并与传电杆滑动连接,且金属杆位于安装架内,所述金属杆与接电组件活动电性连接,设置插接组件能够在将晶体管放入放置罩内后,能够实现对晶体管进行接电,以此能够方便对晶体管进行供电。

优选的,所述金属杆上套设有拉伸弹簧,且拉伸弹簧的两端分别与金属杆和传电杆固定连接,设置拉伸弹簧能够使得金属杆与接杆紧密的接触。

优选的,所述卡装组件包括盖板、检测构件、两个连接构件、U型杆和定位构件,两个连接构件分别与放置罩的左侧和右侧相连接,设置连接构件能够方便对盖板进行传动,且盖板分别与两个连接构件相连接,所述检测构件安装在盖板的顶部,且检测构件分别与晶体管的两个阴极引脚电性连接,所述U型杆转动连接在安装架的顶部,且两个连接构件均与U型杆相连接,设置U型杆能够方便对两个连接构件进行传动,所述定位构件分别与U型杆和安装架的顶部相连接,设置卡装组件能够在将晶体管放入放置罩内后,可实现对晶体管进行卡装定位。

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