[发明专利]一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置有效
申请号: | 202210175725.9 | 申请日: | 2022-02-25 |
公开(公告)号: | CN114609499B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 程万坡;张兴杰;王荣元 | 申请(专利权)人: | 江苏韦达半导体有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;H01L21/66;H01L21/68 |
代理公司: | 北京康达联禾知识产权代理事务所(普通合伙) 11461 | 代理人: | 何浩 |
地址: | 225000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 击穿 电压 双极型 晶体管 制造 装置 | ||
1.一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置,包括底座(1),其特征在于,所述底座(1)的顶部固定安装有安装架(2),且安装架(2)的顶部固定安装有放置罩(3),所述放置罩(3)内设有晶体管(4),所述安装架(2)的顶部内壁上对称固定安装有插接组件,且插接组件的数量为两个,所述晶体管(4)的两个阳极引脚分别与两个插接组件电性连接,所述放置罩(3)上连接有卡装组件,且卡装组件与晶体管(4)相卡装,所述卡装组件与安装架(2)相连接,所述底座(1)的顶部固定安装有固定箱(17),且固定箱(17)内连接有传动组件,所述传动组件的顶部延伸至安装架(2)内并连接有接电组件,所述接电组件分别与两个插接组件相配合,所述底座(1)的顶部固定安装有位于固定箱(17)右侧的电动推杆(34),且传动组件的右侧延伸至安装架(2)内并与电动推杆(34)的输出轴相连接。
2.根据权利要求1所述的一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置,其特征在于,所述插接组件包括接电罩(28)、传电杆(29)和金属杆(30),所述接电罩(28)固定安装在安装架(2)的顶部内壁上,所述传电杆(29)贯穿接电罩(28)的底部内壁并与接电罩(28)的底部内壁固定连接,所述晶体管(4)的阳极引脚延伸至接电罩(28)内并与传电杆(29)电性插接,所述金属杆(30)贯穿传电杆(29)并与传电杆(29)滑动连接,且金属杆(30)位于安装架(2)内,所述金属杆(30)与接电组件活动电性连接。
3.根据权利要求2所述的一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置,其特征在于,所述金属杆(30)上套设有拉伸弹簧(31),且拉伸弹簧(31)的两端分别与金属杆(30)和传电杆(29)固定连接。
4.根据权利要求1所述的一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置,其特征在于,所述卡装组件包括盖板(5)、检测构件、两个连接构件、U型杆(11)和定位构件,两个连接构件分别与放置罩(3)的左侧和右侧相连接,且盖板(5)分别与两个连接构件相连接,所述检测构件安装在盖板(5)的顶部,且检测构件分别与晶体管(4)的两个阴极引脚电性连接,所述U型杆(11)转动连接在安装架(2)的顶部,且两个连接构件均与U型杆(11)相连接,所述定位构件分别与U型杆(11)和安装架(2)的顶部相连接。
5.根据权利要求4所述的一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置,其特征在于,所述检测构件包括两个导电罩(7)、导电杆(8)和检测灯(9),两个导电罩(7)均固定安装在盖板(5)的顶部,且晶体管(4)的两个阴极引脚分别与两个导电罩(7)电性插接,所述导电杆(8)分别与两个导电罩(7)电性连接,所述检测灯(9)固定安装在导电杆(8)的顶部并与导电杆(8)电性连接。
6.根据权利要求4所述的一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置,其特征在于,所述连接构件包括L型杆(6)、支撑弹簧(10)和拉杆(12),所述L型杆(6)与放置罩(3)的侧面滑动连接,且L型杆(6)的顶端与盖板(5)的侧面固定连接,所述拉杆(12)的顶端与L型杆(6)转动连接,且拉杆(12)的底端与U型杆(11)的顶部转动连接,所述支撑弹簧(10)套设在L型杆(6)上,且支撑弹簧(10)的顶端和底端分别与L型杆(6)和放置罩(3)的侧面固定连接。
7.根据权利要求4所述的一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置,其特征在于,所述定位构件包括移动环(13)、卡板(14)、卡罩(15)和定位弹簧(16),所述移动环(13)滑动套设在U型杆(11)上,且卡板(14)固定安装在移动环(13)的前侧,所述卡罩(15)固定安装在安装架(2)的顶部,所述卡板(14)与卡罩(15)相卡装,所述定位弹簧(16)套设在U型杆(11),且定位弹簧(16)位于移动环(13)的左侧,所述定位弹簧(16)的左端和右端分别与移动环(13)的左侧和U型杆(11)固定连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏韦达半导体有限公司,未经江苏韦达半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210175725.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。