[发明专利]成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具备：

腔室，其将内部保持为真空；

吸附板，其设置于所述腔室的内部，具有产生用于吸附基板的静电力的电极；

电压控制部件，其向所述电极施加第1电压和产生比施加所述第1电压的情况大的静电力的第2电压；以及

检测部件，其检测所述基板向所述吸附板的吸附状态，

在向所述电极施加所述第1电压而使所述基板吸附于所述吸附板的状态下，在由所述检测部件检测到所述基板的一部分未吸附于所述吸附板的情况下，所述电压控制部件向所述电极施加所述第2电压。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

在由所述检测部件检测到所述基板的一部分未吸附于所述吸附板的情况下，所述电压控制部件将向所述电极施加的电压设为零，或者向所述电极施加了产生比施加所述第1电压的情况小的静电力的第3电压或与所述第1电压相反极性的第4电压之后，进行所述第2电压的施加。

3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其中，

具备使所述基板的周缘部靠近所述吸附板的吸附面的靠近部件，

在进行所述第2电压的施加之前，通过所述靠近部件使所述基板的周缘部靠近所述吸附板的吸附面。

4.根据权利要求3所述的成膜装置，其中，

所述靠近部件使所述基板的周缘部的中央附近靠近所述吸附板的吸附面。

5.一种成膜方法，其特征在于，所述成膜方法具有如下工序：

向设置于将内部保持为真空的腔室的内部并产生用于吸附基板的静电力的吸附板的电极施加第1电压而使所述基板吸附于所述吸附板；

检测所述基板向所述吸附板的吸附状态；

在检测到所述基板的一部分未吸附于所述吸附板的情况下，向所述电极施加产生比施加所述第1电压的情况大的静电力的第2电压；以及

在检测到所述基板正常吸附于所述吸附板的情况下，在所述基板吸附于所述吸附板的状态下经由掩模将成膜材料蒸镀到所述基板上。

6.一种电子器件的制造方法，其中，

使用权利要求5所述的成膜方法制造电子器件。