[发明专利]一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备

说明书

本发明属于晶圆加工领域，公开了一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备。本发明在利用清洗组件对晶圆的上表面进行清洗的同时和/或之后，利用去水组件对晶圆下表面的指定区域进行去水处理，实现将晶圆搬运至太鼓环切设备的UV解胶装置之前，对晶圆的下表面进行去水处理，使晶圆的下表面保持干燥状态，实现在晶圆的下表面与UV解胶装置的UV框架接触后，通过微调机械手对晶圆进行对中调整时，实现晶圆下表面与UV框架的接触面之间无水，无需增大微调机械手的力度，避免过大的外力作用于晶圆而对晶圆造成损伤。

技术领域

本发明涉及太鼓环切设备领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备。

背景技术

采用太鼓环切设备对晶圆进行切割的流程如下：将晶圆搬运至环切工作台上进行环切，再对晶圆进行清洗干燥，之后将晶圆搬运至UV照射台进行UV照射，并配合微调机械手对晶圆进行精准对位，以准确解胶环切外环；再之后将晶圆搬运至取环工作台，配合取环机械手去除解胶后的外环。

在太鼓环切设备对晶圆进行清洗时，主要是对晶圆的上表面进行吹洗，并通过吹气的方式去除晶圆上表面粘附的水渍。但在对晶圆进行环切以及对晶圆的上表面进行清洗的过程中，不可避免地会有少量的水渍粘附在晶圆的背面。

在将晶圆搬运至UV照射台之后，由于水滴的吸附性，晶圆背面的水滴将会把晶圆和UV照射台上的UV框架吸附在一起，将会造成通过微调机械手对处于UV照射台上的晶圆进行对中时，不便于通过微调机械手将晶圆调整至对中位置；此外，若需将晶圆调整至对中位置，则需要增大微调机械手的力度，微调机械手的力度过大极易导致晶圆破碎。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备，能够避免晶圆和UV框架吸附在一起，以对晶圆进行保护。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种晶圆清洗装置，用于太鼓环切设备；包括：

清洗工作台，所述清洗工作台用于放置晶圆且能够对所述晶圆进行固定；

清洗组件，用于对置于所述清洗工作台上的所述晶圆的上表面进行清洗；

去水组件，用于在所述清洗组件工作的同时和/或之后对所述晶圆下表面的指定区域进行去水处理；所述指定区域至少包括所述晶圆的下表面上能够与所述太鼓环切设备的UV解胶装置的UV框架接触的区域。

作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述指定区域还包括所述晶圆下表面的边缘区域；所述去水组件包括：

第一背面吹气单元，所述第一背面吹气单元位于所述清洗工作台的下方，用于向所述指定区域吹气。

作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述清洗工作台能够绕其竖直轴线转动，以使所述第一背面吹气单元能够吹扫到整个所述指定区域。

作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述指定区域还包括所述晶圆下表面的边缘区域。

作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述晶圆清洗装置还包括：

搬运单元，用于将所述清洗工作台上的所述晶圆搬离所述清洗工作台，使所述晶圆的下表面全部外露；

所述去水组件还包括：

第二背面吹气单元，所述第二背面吹气单元用于在所述晶圆的下表面全部外露时对所述晶圆下表面吹气。

作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述搬运单元还用于控制所述晶圆水平移动，以使所述第二背面吹气单元能够吹扫到所述晶圆的整个下表面。

作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述去水组件还包括：

吸水单元，用于对所述晶圆的下表面进行吸水。