[发明专利]一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备有效
申请号: | 202210173184.6 | 申请日: | 2022-02-24 |
公开(公告)号: | CN114551303B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 高金龙;葛凡;周鑫;张宁宁;蔡国庆 | 申请(专利权)人: | 江苏京创先进电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/304;B08B3/02 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 汪莉萍 |
地址: | 215500 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 装置 方法 太鼓环切 设备 | ||
1.一种晶圆清洗装置,用于太鼓环切设备;其特征在于,包括:
清洗工作台(11),所述清洗工作台(11)用于放置晶圆(5)且能够对所述晶圆(5)进行固定;
清洗组件,用于对置于所述清洗工作台(11)上的所述晶圆(5)的上表面进行清洗;
去水组件,用于在所述清洗组件工作的同时和/或之后对所述晶圆(5)下表面的指定区域进行去水处理;
所述去水组件包括:
第一背面吹气单元(31),所述第一背面吹气单元(31)位于所述清洗工作台(11)的下方,用于向所述指定区域吹气;
所述指定区域至少包括所述晶圆(5)的下表面上能够与所述太鼓环切设备的UV解胶装置的UV框架接触的区域。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述清洗工作台(11)能够绕其竖直轴线转动,以使所述第一背面吹气单元(31)能够吹扫到整个所述指定区域。
3.根据权利要求1至2任一项所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述指定区域还包括所述晶圆(5)下表面的边缘区域。
4.根据权利要求1至2任一项所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述晶圆清洗装置还包括:
搬运单元,用于将所述清洗工作台(11)上的所述晶圆(5)搬离所述清洗工作台(11),使所述晶圆(5)的下表面全部外露;
所述去水组件还包括:
第二背面吹气单元(32),所述第二背面吹气单元(32)用于在所述晶圆(5)的下表面全部外露时对所述晶圆(5)下表面吹气。
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述搬运单元还用于控制所述晶圆(5)水平移动,以使所述第二背面吹气单元(32)能够吹扫到所述晶圆(5)的整个下表面。
6.根据权利要求1至2任一项所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述清洗组件包括:
喷液单元(22),所述喷液单元(22)用于向所述晶圆(5)的上表面喷射清洗液,所述喷液单元(22)能够摆动,以使所述喷液单元(22)能够喷射到所述晶圆(5)的整个上表面;
正面吹气单元(23),所述正面吹气单元(23)用于对所述晶圆(5)的上表面进行吹气,所述正面吹气单元(23)能够摆动,以使所述正面吹气单元(23)能够吹扫到所述晶圆(5)的整个上表面。
7.一种太鼓环切设备,其特征在于,包括UV解胶装置及如权利要求1至6任一项所述的晶圆清洗装置,所述晶圆清洗装置位于所述UV解胶装置的上游。
8.一种晶圆清洗方法,其特征在于,采用权利要求1至6任一项所述的晶圆清洗装置,所述晶圆清洗方法包括以下步骤:
在将晶圆(5)搬运至所述太鼓环切设备的UV解胶装置之前,对所述晶圆(5)的上表面进行清洗;
并在对所述晶圆(5)的上表面进行清洗的同时和/或之后,对所述晶圆(5)下表面的指定区域进行去水处理。
9.根据权利要求8所述的晶圆清洗方法,其特征在于,在对所述晶圆(5)的上表面进行清洗之后,对所述晶圆(5)下表面的指定区域进行去水处理,包括:
在结束对所述晶圆(5)上表面的清洗之后,对处于清洗工作台(11)上的所述晶圆(5)下表面的指定区域进行吹气;
将所述清洗工作台(11)上的晶圆(5)搬离所述清洗工作台(11),使所述晶圆(5)的下表面全部外露;之后对所述晶圆(5)的下表面进行吹气。
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