[发明专利]一种CIS玻璃罩的制作方法在审
| 申请号: | 202210167563.4 | 申请日: | 2022-02-23 |
| 公开(公告)号: | CN114582901A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
| 发明(设计)人: | 周旭;李居知;李华 | 申请(专利权)人: | 苏州轩创科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;C03C15/00;C03C27/00 |
| 代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 童杨益 |
| 地址: | 江苏省苏州市吴江区东太湖生态旅游度假区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 cis 玻璃罩 制作方法 | ||
本发明公开一种CIS玻璃罩的制作方法,涉及CIS晶圆加工领域,具体包括S1、激光扫描:用激光发射器发射飞秒激光,在玻璃表面扫描出图形轮廓;S2、药水腐蚀:用药水按照轮廓腐蚀处对应的图形;S3、灌胶:在药水腐蚀后的图形内灌入高透光性胶水;S4、晶圆贴合:将晶圆沿着胶水贴合于玻璃表面;本发明使用激光工艺,替代传统的曝光显影工艺,先通过激光对玻璃表面进行扫描,在扫描到所需图形后,在图形表面用药水进行腐蚀,然后涂胶,贴合晶圆,大大降低了工艺难度,提升了良品率。
技术领域
本发明涉及CIS晶圆加工领域,具体的是一种CIS玻璃罩的制作方法。
背景技术
微电子成像元件被广泛应用于移动设备,其中图像传感器是微电子成像元件的重要组成部分,图像传感器是将光学图像转换为电信号的半导体器件,一般可分为电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体图像传感芯片(CMOS图像传感芯片,CIS)。
CIS芯片利用控制电路和位于MOS晶体管周围的信号处理电路并且采用MOS晶体管的切换技术来顺序地检测输出,MOS晶体管的数量等于像素的数量,即利用光通过表面玻璃盖板及透光胶,照射到芯片上的感光区,完成光信号到电信号的转换,从而成像的原理。CIS芯片能够克服CCD芯片制造工艺复杂且能耗较高的缺陷,采用CIS芯片制造技术可以将像素单元阵列与外围电路集成在同一芯片上,使得CIS芯片具有体积小、重量轻、低功耗、编程方便、易于控制及低成本的优点。
目前都是采用涂布光刻胶的方法进行制作玻璃罩,其大致流程如图2所示,其中从光刻胶涂布到贴合,总共有十多个工序,工序复杂,其中显影不良,容易导致图形变形,影响使用效果,显影之后清洗难度大,容易产生光刻胶残留,严重的造成这块芯片报废。
发明内容
为解决上述背景技术中提到的不足,本发明的目的在于提供一种CIS玻璃罩的制作方法,本发明使用激光工艺,替代传统的曝光显影工艺,先通过激光对玻璃表面进行扫描,在扫描到所需图形后,在图形表面用药水进行腐蚀,然后涂胶,贴合晶圆,大大降低了工艺难度,提升了良品率。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种CIS玻璃罩的制作方法,包括以下步骤:
S1、激光扫描:用激光发射器发射飞秒激光,在玻璃表面扫描出图形轮廓;
S2、药水腐蚀:用药水按照轮廓腐蚀处对应的图形;
S3、灌胶:在药水腐蚀后的图形内灌入高透光性胶水;
S4、晶圆贴合:将晶圆沿着胶水贴合于玻璃表面。
进一步地,所述S1中采用机械臂夹持激光发射器,通过机械臂带动激光发射器进行移动,在玻璃表面扫描出图形轮廓。
进一步地,所述S2具体包括:
S2.1、在激光扫描图形轮廓的侧壁上安装上相应的挡板,挡板围绕的区域为待腐蚀区;
S2.2、在待腐蚀区内添加腐蚀药水,对待腐蚀区进行腐蚀,得到相应图形;
S2.3、采用机械臂夹持药水瓶,通过滴定的方法,对图形内进行定点腐蚀,形成平整的凹面。
进一步地,所述S3中是将透光性胶水均匀地涂布于图形内,直至胶水与玻璃表面平齐。
进一步地,所述高透光性胶水为液态光学胶,使用有机硅或者改性丙烯酸树脂作为基材,透过率>98%,折射率在1.4-1.52,粘度800-8000,耐温超过200℃。
本发明的有益效果:
本发明使用激光工艺,替代传统的曝光显影工艺,先通过激光对玻璃表面进行扫描,在扫描到所需图形后,在图形表面用药水进行腐蚀,然后涂胶,贴合晶圆,大大降低了工艺难度,提升了良品率。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





