[发明专利]发光二极管在审
| 申请号: | 202210138792.3 | 申请日: | 2022-02-15 |
| 公开(公告)号: | CN114551678A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
| 发明(设计)人: | 夏宏伟;马全扬;王绘凝;林雅雯;张平;林素慧;杨人龙;张中英 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/44 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,包括:
半导体叠层,包括依次堆叠的第一半导体层、第二半导体层以及位于两者之间的有源层;
第一电极和第二电极,分别形成于所述第一半导体层或所述第二半导体层上,所述第一电极和第二电极具有与所述第一半导体层或所述第二半导体层接触的第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面之间的侧面;
绝缘层,包括形成于所述第一电极或第二电极的所述第二表面和所述侧面上,所述绝缘层具有多个裸露出所述第一电极或第二电极部分所述第二表面的第一开口;
保护电极,通过所述第一开口与所述第一电极或第二电极的所述第二表面接触,并覆盖形成于所述第一电极或第二电极所述侧面的所述绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述保护电极包括第一部分和第二部分,所述第一部分通过所述第一开口与所述第一电极或第二电极接触并延伸覆盖于所述绝缘层上,所述第二部分覆盖形成于所述第一电极或第二电极的所述侧面的所述绝缘层上。
3.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。
4.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述保护电极包括第一层和第二层,所述第一层至少填充于所述第一开口与所述第一电极或第二电极接触,所述第二层形成于所述第一层上。
5.根据权利要求4所述的发光二极管,其特征在于,所述第一层包括覆盖形成于所述第一电极或第二电极的所述侧面的所述绝缘层上。
6.根据权利要求4所述的发光二极管,其特征在于,所述第一层包括覆盖形成于所述第一电极或第二电极的所述侧面的所述绝缘层上。
7.根据权利要求4任一所述的发光二极管,其特征在于,第一层的厚度为3nm~50nm,所述第二层的厚度为200nm~1500nm。
8.根据权利要求4所述的发光二极管,其特征在于,所述第一层为铬、镍、钛中的一种或几种,所述第二层为金、铂中的一种或几种。
9.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第一电极或第二电极的所述第一表面和所述侧面的夹角介于40°~80°。
10.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述绝缘层的厚度介于100nm~500nm。
11.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第一电极或第二电极包括第五金属层与所述绝缘层接触,所述保护电极包括第一层与所述绝缘层接触,所述第五金属层与所述第一层为同一种材料构成。
12.根据权利要求11所述的发光二极管,其特征在于,所述第五金属层与所述第一层的材料为钛或者镍。
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