[发明专利]晶片夹具清洗装置和清洗方法在审
申请号: | 202210127124.0 | 申请日: | 2022-02-11 |
公开(公告)号: | CN114582786A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 江阔;胡新建;王泽飞 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67;B08B3/02 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 夹具 清洗 装置 方法 | ||
1.一种晶片夹具清洗装置,其特征在于,所述晶片夹具清洗装置包括:
清洗腔,所述清洗腔连通上液装置和排液装置,所述上液装置用于将清洗液输送至所述清洗腔中,所述排液装置用于将所述清洗腔中的清洗液排出;
烘干腔,所述烘干腔位于所述清洗腔上部,且与所述清洗腔连通;
所述烘干腔中设有能够喷出烘干气体的烘干装置。
2.如权利要求1所述的晶片夹具清洗装置,其特征在于,所述晶片夹具清洗装置用于清洗材质为聚四氟乙烯的晶片夹具。
3.如权利要求1所述的晶片夹具清洗装置,其特征在于,所述烘干腔包括第一烘干腔和第二烘干腔;
所述第一烘干腔和所述第二烘干腔分别位于所述清洗腔上部的两侧,且分别与所述清洗腔连通;
所述第一烘干腔用于烘干所述晶片夹具的第一夹爪;
所述第二烘干腔用于烘干所述晶片夹具的第二夹爪。
4.如权利要求3所述的晶片夹具清洗装置,其特征在于,所述第一烘干腔相对的两侧分别设有烘干装置;
所述第二烘干腔相对的两侧分别设有烘干装置。
5.如权利要求1至4中任意一项权利要求所述的晶片夹具清洗装置,其特征在于,所述烘干装置的烘干角度可调;
所述烘干装置包括旋转调整座和喷头;
所述旋转调整座安装在所述烘干腔的侧壁上;
所述喷头安装在所述旋转调整座上,通过旋转调整所述旋转调整座,使得所述喷头以特定方向向所述烘干腔中喷射烘干气体。
6.如权利要求5所述的晶片夹具清洗装置,其特征在于,所述喷头喷射所述烘干气体的方向与水平面之间的夹角范围为2°至5°。
7.一种晶片夹具清洗方法,其特征在于,使用如权利要求1至6中任意一项权利要求所述的晶片夹具清洗装置对晶片夹具进行清洗,所述晶片夹具清洗方法包括以下步骤:
使得所述上液装置将清洗液输送至清洗腔中;
使得所述晶片夹具穿过所述烘干腔向下进入所述清洗腔后,浸泡在所述清洗腔的清洗液中;
使得所述晶片夹具离开所述清洗腔,向上进入所述烘干腔;
启动所述烘干装置,向所述晶片夹具的第一夹爪和第二夹爪喷射出烘干气体,烘干所述晶片夹具的第一夹爪和第二夹爪。
8.如权利要求7所述的晶片夹具清洗方法,其特征在于,所述使得所述晶片夹具穿过所述烘干腔向下进入所述清洗腔后,浸泡在所述清洗腔的清洗液中的步骤,包括:
使得所述晶片夹具穿过所述烘干腔向下进入所述清洗腔后,浸泡在所述清洗腔的清洗液中持续20秒至30秒的时间。
9.如权利要求7所述的晶片夹具清洗方法,其特征在于,所述启动所述烘干装置,向所述晶片夹具的第一夹爪和第二夹爪喷射出烘干气体,烘干所述晶片夹具的第一夹爪和第二夹爪的步骤,包括:
启动所述烘干装置,向所述晶片夹具的第一夹爪和第二夹爪喷射出烘干气体持续40秒至60秒的时间,以烘干所述晶片夹具的第一夹爪和第二夹爪。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造