[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括若干相互分立的像素区；

分别位于各所述像素区上的感光掺杂层；

位于各所述感光掺杂层上的开关器件。

2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，各所述开关器件包括位于部分所述感光掺杂层上的有源区、位于所述有源区和所述感光掺杂层上的栅极，所述有源区顶部具有源漏层，所述栅极内具有开口，所述开口暴露出部分所述源漏层表面。

3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述源漏层顶部还具有轻掺杂区，所述开口暴露出部分所述轻掺杂区。

4.如权利要求2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述源漏层表面的若干导电插塞，各所述感光掺杂层上的所述若干导电插塞沿所述感光掺杂层的延伸方向排布。

5.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：相邻感光掺杂层之间具有隔离结构，所隔离结构还位于相邻开关器件之间。

6.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述衬底包括第一区和第二区，所述若干相互分立的像素区位于所述第一区；所述第二区上具有外围器件。

7.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

形成衬底和若干感光掺杂层，所述衬底包括若干相互分立的像素区，所述感光掺杂层分别位于各所述像素区上；

在各所述感光掺杂层上形成开关器件。

8.如权利要求7所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，各所述开关器件包括位于部分所述感光掺杂层上的有源区、位于所述有源区和所述感光掺杂层上的栅极，所述有源区顶部具有源漏层，所述栅极内具有开口，所述开口暴露出部分所述源漏层表面。

9.如权利要求8所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述衬底和若干感光掺杂层的方法包括：形成衬底结构，所述衬底结构包括所述衬底和位于所述衬底上的初始感光掺杂层；在所述衬底结构内形成隔离结构，所述隔离结构贯穿所述初始感光掺杂层，且所述隔离结构还位于相邻像素区之间，使所述初始感光层形成若干相互分立的感光掺杂层。

10.如权利要求9所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述衬底结构还包括：位于所述初始感光掺杂层上的初始阱掺杂层；所述隔离结构还贯穿所述初始阱掺杂层，使初始阱掺杂层形成若干相互分立的阱掺杂层。

11.如权利要求10所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述衬底结构的形成方法包括：提供初始衬底；向所述初始衬底内注入第一掺杂离子，形成所述初始衬底内的初始感光掺杂层，所述初始感光掺杂层的顶部表面低于所述初始衬底表面，形成所述衬底结构，以所述初始感光掺杂层下的所述初始衬底形成所述衬底，以所述初始感光掺杂层上的所述初始衬底。

12.如权利要求10所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述衬底结构的形成方法包括：提供初始衬底；在所述初始衬底内注入第一掺杂离子，形成所述衬底和位于所述衬底上的所述初始感光掺杂层，所述初始感光掺杂层顶部表面暴露；在所述初始感光掺杂层表面形成外延层；在所述外延层内注入第二掺杂离子，以所述外延层形成所述初始阱掺杂层。

13.如权利要求10所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述开关器件的形成方法包括：刻蚀所述阱掺杂层，直到暴露出所述感光掺杂层，形成栅极槽，以所述阱掺杂层形成所述有源区，所述栅极槽暴露出所述有源区和所述隔离结构；在所述栅极槽内和所述有源区表面形成栅极和位于所述栅极内的开口，所述开口暴露出部分所述有源区顶部表面；向所述开口内注入第一离子，形成所述源漏区。