[发明专利]提高散热性的柔性衬底发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种提高散热性的柔性衬底发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括聚萘二甲酸乙二醇酯柔性衬底与依次层叠在所述聚萘二甲酸乙二醇酯柔性衬底上的铟锌氧化物透明导电层、Cu散热层、Cr欧姆接触层、n型金属接触层、n型层、发光层、p型层与p型金属接触层，

所述聚萘二甲酸乙二醇酯柔性衬底包括柔性主体与多个相互间隔地层叠在所述柔性主体上的折叠凸起，所述折叠凸起为轴线垂直于所述柔性主体的表面的棱台，所述铟锌氧化物透明导电层的表面具有与所述折叠凸起一一对应的导电凸起，所述Cu散热层远离所述聚萘二甲酸乙二醇酯柔性衬底的表面为平面。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述柔性主体的厚度与所述折叠凸起的厚度之比为2:500～1:1500。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述柔性主体的厚度为50μm～150μm，所述折叠凸起的厚度为100nm～200nm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述铟锌氧化物透明导电层的厚度为90～300nm。

5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述Cu散热层远离所述聚萘二甲酸乙二醇酯柔性主体的表面与所述铟锌氧化物透明导电层之间的最小距离为5nm～50nm。

6.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述Cu散热层的最大厚度为300～600nm。

7.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述n型金属接触层在所述柔性主体的表面的正投影的面积小于所述Cr欧姆接触层在所述柔性主体的表面的正投影的面积。

8.一种提高散热性的柔性衬底发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一聚萘二甲酸乙二醇酯柔性衬底与一外延层，所述聚萘二甲酸乙二醇酯柔性衬底包括柔性主体与多个相互间隔地层叠在所述柔性主体上的折叠凸起，所述折叠凸起为轴线垂直于所述柔性主体的表面的棱台，所述外延层包括依次层叠的n型金属接触层、n型层、发光层、p型层与p型金属接触层；

在所述聚萘二甲酸乙二醇酯柔性衬底上依次沉积铟锌氧化物透明导电层、Cu散热层与Cr欧姆接触层，所述铟锌氧化物透明导电层的表面具有与所述折叠凸起一一对应的导电凸起，所述Cu散热层远离所述聚萘二甲酸乙二醇酯柔性衬底的表面为平面；

将所述外延层转移至所述聚萘二甲酸乙二醇酯柔性衬底上，且所述n型金属接触层层叠在所述Cr欧姆接触层上。

9.根据权利要求8所述的提高散热性的柔性衬底发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述提供一聚萘二甲酸乙二醇酯柔性衬底，包括：

提供聚萘二甲酸乙二醇酯基板，所述聚萘二甲酸乙二醇酯基板具有相互平行且相反的第一表面与第二表面；

采用光刻工艺在所述聚萘二甲酸乙二醇酯基板的第一表面形成图形，得到所述聚萘二甲酸乙二醇酯柔性衬底，所述光刻工艺中的曝光处理采用激光干涉光刻机进行曝光处理。

10.根据权利要求9所述的提高散热性的柔性衬底发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述激光干涉光刻机的出口处光强为0.1～0.4mW/cm²、所述激光干涉光刻机的连续曝光时间为30～50秒，所述激光干涉光刻机的曝光总能量为5～20mJ/cm²。