[发明专利]一种滤波器芯片及其加工方法

说明书

本发明提供了一种滤波器芯片及其加工方法，涉及滤波器技术领域；所述滤波器芯片包括晶圆，晶圆上设有芯片有效区；芯片有效区外设有划片道；芯片的有效区内设有谐振器和焊盘；焊盘通过金属线路连接谐振器；焊盘的植球区域内植有锡球；锡球和谐振器以外芯片的有效区表面覆盖二氧化硅保护层。本发明的滤波器芯片的谐振器区域没有覆盖二氧化硅保护层，保持谐振器灵活输入输出和高频转换功能；减少了二氧化硅保护层对滤波器芯片性能的影响，提高了滤波器的谐振能效，特别是高频滤波器抗干扰效果更强。通过在助焊剂刷胶植球钢网上设置与晶圆上谐振器对应的半刻蚀空腔，避免了谐振器加工过程中出现受损。

技术领域

本发明涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种滤波器芯片及其加工方法。

背景技术

低中高频滤波器的谐振区域覆盖二氧化硅保护层，优点在于有助于保护谐振器不受外力损伤以及环境污染；缺点在于对滤波器的性能有一定的影响，相较于中低频滤波器，高频滤波器覆盖保护层对性能影响较大。

传统的Bumping加工过程中，助焊剂刷胶植球钢网会贴合到滤波器晶圆表面，刷胶和植球压合时有异物或两个钢网实物存在刮痕时易造成芯片内谐振器受损。当谐振器区域无二氧化硅保护层时，谐振器极易受损。

发明内容

本发明的目的在于提供一种滤波器芯片及其加工方法，以解决上述技术问题。

一种滤波器芯片，包括晶圆，其特征在于，晶圆上设有芯片有效区；芯片有效区外设有划片道；芯片的有效区内设有谐振器和焊盘；焊盘通过金属线路连接谐振器；焊盘的植球区域内植有锡球；锡球和谐振器以外芯片的有效区表面覆盖二氧化硅保护层。

一种滤波器芯片的加工方法；包括以下步骤：

步骤1：设计和加工滤波器的晶圆；在晶圆上加工划片道；在芯片的有效区内安装谐振器、金属线路以及焊盘；在焊盘的植球区域以及谐振器以外的芯片的有效区表面覆盖二氧化硅保护层；

步骤2：通过bumping加工方法在焊盘上植入锡球；bumping加工方法包括以下步骤：

步骤2.1：除污活化微蚀；使用弱酸药水除去晶圆表面的污染物；优选的，弱酸药水除污活化微蚀时槽体的温度为60°。

步骤2.2：图形保护；涂覆抗镀金光刻胶，烘干后在胶体干膜上方压合光刻胶掩膜板，曝光后显影去除焊盘植球区域的光刻胶；

步骤2.3：化镀镍金；在焊盘的植球区域化学沉积镍材质层和金材质层的叠层；优选的，镍材质层的厚度为2～5微米；金材质层的厚度为0.05微米。

步骤2.4：去干膜；通过除胶药水将曝光后光刻胶干膜刻蚀干净；

步骤2.5：刷助焊剂；将刷胶植球钢网对位贴合到晶圆上方，在晶圆的焊盘位置印刷助焊剂；

步骤2.6：植球；通过助焊剂在每个焊盘表面粘合锡球；

步骤2.7：回流焊接；装有锡球的晶圆进入回流炉进行焊接；回流焊接时先从常温升至260℃，再降温到常温；

步骤2.8：外观检验合格后完成bumping加工。

进一步地，除污活化微蚀之前需要对晶圆来料进行检验，包括核对晶圆来料信息，确认追溯性；检验来料晶圆外观，确认晶圆是否受损和表面污染等问题。

进一步地，刷胶植球钢网对位贴合到晶圆采用以下方式实现；晶圆上设有对位光标；刷胶植球钢网上设有与对位光标对应的对位搜索框；对位搜索框为对称设置在刷胶植球钢网上的两个450×450μm的正方形开窗，晶圆为4寸时，对位搜索框设置在刷胶植球钢网中心半径80～100μm内；晶圆为6寸时；对位搜索框设置在刷胶植球钢网中心半径100～150μm内。