[发明专利]一种滤波器芯片及其加工方法

权利要求书

1.一种滤波器芯片，包括晶圆，其特征在于，晶圆上设有芯片有效区；芯片有效区外设有划片道；芯片的有效区内设有谐振器和焊盘；焊盘通过金属线路连接谐振器；焊盘的植球区域内植有锡球；锡球和谐振器以外芯片的有效区表面覆盖二氧化硅保护层。

2.一种根据权利要求1所述的滤波器芯片的加工方法；其特征在于，所述加工方法包括以下步骤：

步骤1：设计和加工滤波器的晶圆；在晶圆上加工划片道；在芯片的有效区内安装谐振器、金属线路以及焊盘；在焊盘的植球区域以及谐振器以外的芯片的有效区表面覆盖二氧化硅保护层；

步骤2：通过bumping加工方法在焊盘上植入锡球；bumping加工方法包括以下步骤：

步骤2.1：除污活化微蚀；使用弱酸药水除去晶圆表面的污染物；

步骤2.2：图形保护；涂覆抗镀金光刻胶，烘干后在胶体干膜上方压合光刻胶掩膜板，曝光后显影去除焊盘植球区域的光刻胶；

步骤2.3：化镀镍金；在焊盘的植球区域化学沉积镍材质层和金材质层的叠层；

步骤2.4：去干膜；通过除胶药水将曝光后光刻胶干膜刻蚀干净；

步骤2.5：刷助焊剂；将刷胶植球钢网对位贴合到晶圆上方，在晶圆的焊盘位置印刷助焊剂；

步骤2.6：植球；通过助焊剂在每个焊盘表面粘合锡球；

步骤2.7：回流焊接；装有锡球的晶圆进入回流炉进行焊接；

步骤2.8：外观检验合格后完成bumping加工。

3.根据权利要求2所述的一种滤波器芯片的加工方法，其特征在于，除污活化微蚀之前需要对晶圆来料进行检验，包括核对晶圆来料信息，确认追溯性；检验来料晶圆外观，确认晶圆是否受损和表面污染。

4.根据权利要求2所述的一种滤波器芯片的加工方法，其特征在于，弱酸药水除污活化微蚀时槽体的温度为60°。

5.根据权利要求2所述的一种滤波器芯片的加工方法，其特征在于，镍材质层的厚度为2～5微米；金材质层的厚度为0.05微米。

6.根据权利要求2所述的一种滤波器芯片的加工方法，其特征在于，所述晶圆上设有对位光标；刷胶植球钢网上设有与对位光标对应的对位搜索框。

7.根据权利要求6所述的一种滤波器芯片的加工方法，其特征在于，对位搜索框为对称设置在刷胶植球钢网上的两个450×450μm的正方形开窗，晶圆为4寸时，对位搜索框设置在刷胶植球钢网中心半径80～100μm内；晶圆为6寸时；对位搜索框设置在刷胶植球钢网中心半径100～150μm内。

8.根据权利要求2所述的一种滤波器芯片的加工方法，其特征在于，刷胶植球钢网上设有与晶圆上谐振器对应的半刻蚀空腔；刷胶植球钢网对位贴合到晶圆上方时，谐振器位于半刻蚀空腔内，谐振器和刷胶植球钢网处于非接触状态。

9.根据权利要求2所述的一种滤波器芯片的加工方法，其特征在于，回流焊接时先从常温升至260℃，再降温到常温。

10.根据权利要求8所述的一种滤波器芯片的加工方法，其特征在于，刷胶植球钢网的半刻蚀空腔整体上为等腰梯形；底面和腰的夹角为75°；刷胶植球钢网的厚度为80μm，刷胶植球钢网的半刻蚀空腔垂直方向相较谐振器的间距为40μm，水平方向相较谐振器侧边各留有50μm的间距。