[发明专利]被加工物的加工方法在审
申请号: | 202210120672.0 | 申请日: | 2022-02-09 |
公开(公告)号: | CN114944330A | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 小岛芳昌;久保敦嗣 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/78;B28D5/02;B28D5/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;杨俊波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 方法 | ||
1.一种被加工物的加工方法,其特征在于,
该被加工物的加工方法具有如下的工序:
保持工序,在使该被加工物的背面侧露出的状态下,利用具有由透明的材料形成的区域的保持工作台对该被加工物的正面侧进行保持;以及
加工槽形成工序,利用切削刀具对该保持工作台所保持的该被加工物进行切削,在该被加工物上形成加工槽,
该加工槽形成工序具有如下的工序:
第1拍摄工序,对该被加工物的背面侧的该加工槽进行拍摄;
第2拍摄工序,隔着该保持工作台而对该被加工物的正面侧的该加工槽进行拍摄;以及
检测工序,对通过该第1拍摄工序拍摄的该加工槽的第1中心线的位置与通过第2拍摄工序拍摄的该加工槽的第2中心线的位置在规定的平面内是否一致进行检测,
在该检测工序中,在该第1中心线的位置与该第2中心线的位置在该规定的平面内不一致的情况下,该加工槽形成工序还具有如下的修正工序:修正该切削刀具的中心的位置以便使该第1中心线的位置与该第2中心线的位置一致。
2.根据权利要求1所述的被加工物的加工方法,其特征在于,
该加工槽形成工序包含如下的工序:
第1加工槽形成工序,利用具有第1厚度的第1切削刀具形成具有未到达该正面的规定的深度的第1加工槽;以及
第2加工槽形成工序,将具有第2厚度的第2切削刀具定位于该第1加工槽而沿着该第1加工槽形成到达该正面的第2加工槽,由此将该被加工物分割。
3.根据权利要求2所述的被加工物的加工方法,其特征在于,
该第2切削刀具的刃厚比该第1切削刀具的刃厚薄。
4.根据权利要求2或3所述的被加工物的加工方法,其特征在于,
在该第1拍摄工序中,使用配置于该被加工物的上方的第1拍摄单元利用可见光而拍摄该背面侧的该第1加工槽,
在该第2拍摄工序中,使用配置于该被加工物的下方的第2拍摄单元利用可见光隔着该保持工作台而拍摄该正面侧的该第2加工槽,
在该检测工序中,对该背面侧的该第1加工槽的该第1中心线的位置与该正面侧的该第2加工槽的该第2中心线的位置在该规定的平面内是否一致进行检测。
5.根据权利要求2或3所述的被加工物的加工方法,其特征在于,
在该第1拍摄工序中,使用配置于该被加工物的下方的第3拍摄单元利用红外光隔着该保持工作台而拍摄该背面侧的该第1加工槽,
在该第2拍摄工序中,使用该第3拍摄单元利用红外光隔着该保持工作台而拍摄该正面侧的该第2加工槽,
在该检测工序中,对该背面侧的该第1加工槽的该第1中心线的位置与该正面侧的该第2加工槽的该第2中心线的位置在该规定的平面内是否一致进行检测。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造