[发明专利]一种OLED器件及其制备方法

说明书

本发明公开了一种OLED器件及其制备方法，涉及有机发光半导体技术领域。该OLED器件包括：由下到上依次排布的基板、金属反射电极、有机层、金属半透明电极和DBR；其中，所述金属反射电极、所述有机层和所述金属半透明电极构成第一微腔；所述金属半透明电极与所述DBR构成第二微腔。本发明的双微腔效应不需要在器件结构中放置一层薄层金属，避免了金属颗粒会渗透进有机层，易造成器件导通的问题。

技术领域

本发明涉及有机发光半导体技术领域，特别是涉及一种OLED器件及其制备方法。

背景技术

TEOLED由于光从上侧发射，TFT驱动电路可以布置在底部基板侧，理论开口率可以达到100％，更有利于OLED器件与电路的集成。而且TEOLED器件还具有提高器件效率、窄化光谱和提高色纯度的优点，所以特别适合用来制备大尺寸、高清晰度、全彩色的有源显示设备。

现有的技术通过在TEOLED器件结构中放置金属超薄层，一般是Al、Ag等金属，然而蒸镀时金属的大密度、高速率会使金属颗粒渗透进有机层，极易导致器件导通。

因此，如何设计一种不易导通的OLED器件，成为本领域亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种OLED器件及其制备方法，解决了现有TEOLED器件中金属颗粒容易渗透进有机层导致导通的问题。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种OLED器件，该器件包括：

由下到上依次排布的基板、金属反射电极、有机层、金属半透明电极和DBR；

其中，所述金属反射电极、所述有机层和所述金属半透明电极构成第一微腔；所述金属半透明电极与所述DBR构成第二微腔。

可选的，所述金属反射电极为Al或Ag。

可选的，所述金属反射电极的厚度大于100nm。

可选的，所述有机层包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层和电子阻挡层。

可选的，所述金属半透明电极为Al或Ag。

可选的，所述金属半透明电极的厚度不超过10nm。

可选的，所述DBR的材料为氧化钼和硫化锌。

可选的，所述DBR中每一层材料的厚度为10-40nm。

可选的，所述DBR中的两种材料的折射率相差大于2。

本发明还提供了一种OLED器件的制备方法，该制备方法包括以下步骤：

制备基板；

依次将金属反射电极、有机层、金属半透明电极和DBR蒸镀至所述基板上；其中，所述金属反射电极、所述有机层和所述金属半透明电极构成第一微腔；所述金属半透明电极与所述DBR构成第二微腔。

根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：

本发明提供了一种OLED器件及其制备方法，该OLED器件包括：由下到上依次排布的基板、金属反射电极、有机层、金属半透明电极和DBR；其中，所述金属反射电极、所述有机层和所述金属半透明电极构成第一微腔；所述金属半透明电极与所述DBR构成第二微腔。在现有技术中，金属反射电极和金属半透明电极之间设置有金属超薄层，金属反射电极和金属超薄层构成第一微腔，金属超薄层和金属半透明电极构成第二微腔，蒸镀时金属的大密度、高速率会使金属颗粒渗透进有机层，极易导致器件导通。然而，本发明的双微腔效应不需要在器件结构中放置一层薄层金属，避免了金属颗粒会渗透进有机层，易造成器件导通的问题。

附图说明